时间：2025/4/29 10:17:22
阅读：2
SIR402DP 是一款来自 Vishay 的 N 沣道晶体管，采用 TrenchFET Gen III 技术制造。该晶体管具有极低的导通电阻（Rds(on)），适合用于高效率开关应用和功率管理领域。SIR402DP-T1-GE3 表示其封装形式为 TO-252 (DPAK)，并符合无铅环保要求。
此器件适用于消费电子、工业控制、通信设备等领域的负载开关、电机驱动、电源管理等应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：27A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，于 Vgs=10V 时）
栅极电荷：36nC（典型值）
反向恢复时间：28ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
是否无铅：是
SIR402DP 使用先进的 TrenchFET Gen III 技术，大幅降低了导通电阻和开关损耗。
其超低的 Rds(on) 值能够显著提高系统效率，尤其在大电流应用中表现优异。
该晶体管具备快速开关能力，支持高频运行环境下的高效能量转换。
SIR402DP 具有较高的漏源电压耐受能力，同时兼容广泛的输入电压范围。
器件的工作温度范围宽广，能够在恶劣环境下保持稳定性能。
SIR402DP 广泛应用于各种需要高效功率管理的场景，包括但不限于关电源 (SMPS) 中的同步整流器
2. DC/DC 转换器中的高端或低端开关
3. 电池管理系统中的负载开关
4. 工业设备中的电机驱动与控制
5. 通信基站中的功率分配与保护电路
6. 消费类电子产品中的充电器及适配器设计
7. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统中的功率转换模块
SIR404DP, IRFZ44N, FDP5500
