时间：2025/8/29 15:31:23
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SIR333C-A是一款由Vishay Siliconix公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适合于需要高可靠性和高性能的应用场景。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适用于表面贴装工艺。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（Id）：1.7A
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.095Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
引脚数：6
阈值电压（Vgs(th)）：1.2V（min）~2.5V（max）
SIR333C-A具有多个关键特性，使其在电源管理和功率控制应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.095Ω，可在高电流条件下提供较低的功率损耗，从而提高整体效率。此外，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压（Vds）可达30V，适用于多种低压电源系统。
其次，SIR333C-A的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可正常工作，这使得它能够兼容多种驱动电路，包括由微控制器或逻辑IC控制的电路。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持较低的温升，有助于提高系统的可靠性。
另外，SIR333C-A采用TSOP封装，体积小、重量轻，便于在空间受限的设计中使用。其表面贴装封装形式也提高了生产效率和自动化焊接的可靠性。最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于需要无铅工艺的电子产品。
SIR333C-A适用于多种低电压、中等功率的应用场景。常见的应用包括便携式电子设备的电源开关、DC-DC转换器中的同步整流器、电池管理系统中的负载控制、以及各类低功耗电机驱动电路。此外，它也适用于LED照明控制、传感器电源管理、以及小型电机或风扇的开关控制等场合。
Si3442DV、FDN340P、2N7002、AO3400A、IRLML2402
