SIO10N268 时间：2025/8/1 17:34:22 阅读：16

SIO10N268是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换系统和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了卓越的导通电阻和开关性能，能够有效降低系统损耗并提高整体效率。SIO10N268通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：268V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A（在25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.36Ω
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SIO10N268具有低导通电阻（Rds(on)）特性，使其在高电流负载下能够显著降低功耗，提高系统效率。
　　其高耐压能力（268V）适用于中高压应用，例如开关电源、马达驱动和工业自动化设备。
　　该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，并具有良好的热稳定性。
　　此外，SIO10N268具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性。
　　器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，适用于多种应用场景。

应用

SIO10N268广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关电路、工业控制设备以及电机驱动系统。
　　它也可用于电池管理系统中的功率开关元件，提供高效的能量传输和良好的热管理性能。
　　在通信设备中，该MOSFET可用于电源模块和功率放大器的开关控制，确保设备在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，SIO10N268还可用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统的功率控制电路中。