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SIL3723CNU 发布时间 时间:2025/12/27 6:24:35 查看 阅读:13

SIL3723CNU是一款由Silicon Labs(芯科科技)推出的高性能、低功耗的数字隔离器芯片,广泛应用于工业自动化、电源管理、通信系统以及需要高抗噪能力和电气隔离的场合。该器件采用CMOS工艺制造,结合了高可靠性电容隔离技术,能够在高电压和恶劣电磁环境下稳定工作。SIL3723CNU提供三通道隔离功能,其中两个通道为正向数据传输,一个通道为反向传输,支持双向通信需求的应用场景。其内部集成了高频振荡器、调制器、解调器和输出恢复电路,通过差分电容耦合方式实现信号跨隔离栅的高速传输,同时有效阻断地环路干扰和高压瞬态。该芯片具有高共模瞬态抗扰度(CMTI),确保在快速开关噪声环境中仍能保持信号完整性。此外,SIL3723CNU符合国际安全标准,如UL、CSA、VDE和IEC/EN/DIN EN 60747-17,适用于要求严格隔离认证的工业与医疗设备。封装形式为小型化的16引脚SOIC宽体封装,有助于节省PCB空间并提升系统集成度。

参数

类型:数字隔离器
  通道数:3通道(2前向,1反向)
  方向配置:2/1
  数据速率:最高150 Mbps
  供电电压(VCC):2.7V 至 5.5V
  隔离耐压:5000 VRMS(持续)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  共模瞬态抗扰度(CMTI):>50 kV/μs(典型值)
  传播延迟:最大70 ns
  脉冲宽度失真:≤15 ns
  通道间匹配延迟:≤20 ns
  绝缘材料:聚酰亚胺(Polyimide)
  安全认证:UL 1577、IEC 60747-17、VDE 0884-10 VIORM = 1207 VPEAK
  封装类型:16-pin SOIC-Wide

特性

SIL3723CNU具备卓越的电气隔离性能和高抗干扰能力,其核心特性之一是采用基于电容的隔离技术,在硅基衬底上构建高介电强度的聚酰亚胺绝缘层,形成稳定的信号传输路径,同时实现输入与输出之间的完全电气隔离。这种结构不仅提供了高达5000 VRMS的隔离耐压,还具备优异的长期可靠性和抗老化性能,远优于传统的光耦合器。该芯片在共模瞬态抗扰度(CMTI)方面表现突出,可达到超过50 kV/μs,即使在存在剧烈地电位波动或高频噪声的电力电子系统中,也能保证数据传输不发生误码或中断。
  SIL3723CNU支持高达150 Mbps的数据速率,适用于高速通信接口如SPI、UART、I2C等协议的隔离应用,满足现代工业控制系统对实时性的严苛要求。其低传播延迟(最大70 ns)和优秀的通道间匹配特性,使得多路信号同步更加精准,避免因时序偏差导致的逻辑错误。此外,该器件具有极低的功耗表现,特别适合电池供电或热敏感环境下的设计。每个通道均内置故障安全输出机制,当输入信号丢失或断线时,输出端可自动进入预定义状态(如高电平或低电平),提高系统的安全性与可控性。
  该芯片的工作温度范围宽达-40°C至+125°C,适应极端工业环境下的运行需求。其16引脚SOIC宽体封装不仅符合行业通用标准,便于替换传统光耦,而且引脚间距大、爬电距离充足,增强了高压应用中的绝缘安全性。SIL3723CNU还集成了电源监控和欠压锁定(UVLO)功能,防止在电源不稳定期间产生错误输出。所有上述特性使其成为替代传统光耦的理想选择,尤其在需要长寿命、高稳定性及免维护设计的系统中表现出色。

应用

SIL3723CNU广泛应用于需要高可靠性信号隔离的各种工业与电力电子系统中。常见用途包括工业PLC模块中的数字I/O隔离,用于保护控制器免受现场传感器或执行器侧的高压冲击;在电机驱动器和逆变器中,实现控制侧与功率桥之间的隔离通信,确保PWM信号准确传递的同时隔绝dV/dt干扰;在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中作为反馈环路的隔离元件,提升效率与稳定性。
  此外,该芯片适用于隔离式ADC/DAC接口,保障精密模拟信号采集系统不受数字地噪声影响;也可用于通信接口隔离,例如RS-485、CAN总线系统中,增强网络节点的抗雷击与浪涌能力。在医疗设备领域,因其通过多项国际安全认证,可用于病人连接型设备中的信号隔离,满足严格的电气安全规范。新能源领域如光伏逆变器、电动汽车充电桩也大量采用此类数字隔离器来实现控制单元与高压母线间的信号交互。得益于其小尺寸和高集成度,SIL3723CNU还可用于紧凑型嵌入式系统和模块化电源设计中,助力产品小型化与高性能兼得。

替代型号

ADuM1301
  ISO7731
  Si8630

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