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SIL2305B-TP 发布时间 时间:2025/6/25 18:09:05 查看 阅读:7

SIL2305B-TP是一款高性能的双通道运算放大器,专为低功耗和高精度应用设计。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有超低的静态电流和较高的增益带宽积,非常适合便携式设备和电池供电系统。此外,其轨到轨输入输出特性使得它在广泛的信号电平范围内表现出色。

参数

电源电压:1.8V至5.5V
  静态电流:每放大器170μA(典型值)
  增益带宽积:10MHz
  压摆率:4.5V/μs
  共模抑制比:92dB
  差分输入电压:±0.4V
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装形式:MSOP-8, TSSOP-8

特性

SIL2305B-TP的主要特性包括:
  1. 超低功耗设计,适合电池供电的应用场景。
  2. 高精度和低噪声性能,保证信号处理的准确性。
  3. 轨到轨输入输出功能,支持更宽的信号动态范围。
  4. 宽电源电压范围,兼容多种供电系统。
  5. 高增益带宽积和快速压摆率,确保高频信号不失真。
  6. 小型封装,节省电路板空间。
  7. 工业级的工作温度范围,适应恶劣环境。

应用

该芯片适用于多种电子设备和系统,包括但不限于:
  1. 便携式消费电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
  2. 工业自动化中的传感器信号调理电路。
  3. 医疗设备中的低噪声放大器。
  4. 音频信号处理和放大电路。
  5. 数据采集系统中的信号缓冲和放大。
  6. 通信设备中的中频信号放大。

替代型号

SIL2305B-DP, SIL2305B-TD

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SIL2305B-TP参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥3.26000剪切带(CT)3,000 : ¥0.72122卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.4A
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)60 毫欧 @ 2.7A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)740 pF @ 4 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-6L
  • 封装/外壳SOT-23-6