型号：SIL1162CS48TR
　　制造商：Silicon Labs
　　封装类型：SOIC-8
　　通道数：2
　　隔离电压：5000 Vrms
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　数据速率：最高150 Mbps
　　电源电压（VCC）：2.7V 至 5.5V
　　传播延迟：典型值35 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs
　　绝缘材料：聚酰亚胺电介质
　　安全认证：UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17
　　静态电流：2.5 mA（每通道，典型值）
　　上升/下降时间：≤5 ns
　　通道方向：双通道单向
　　爬电距离：8 mm
　　间隙距离：8 mm

SIL1162CS48TR具备卓越的电气隔离性能，基于Silicon Labs专有的电容隔离技术，利用高击穿强度的聚酰亚胺材料作为介电层，实现输入与输出之间的可靠隔离。这种结构相比传统光耦无需发光二极管和光电晶体管，避免了老化、温度漂移和非线性响应等问题，从而大幅提升了器件的长期稳定性和可靠性。其高达5000 Vrms的隔离耐压能力，能够有效防止高压窜入低压侧，保护下游电路和操作人员安全。
　　该芯片具有优异的电磁兼容性（EMC）表现，共模瞬态抗扰度（CMTI）达到±100 kV/μs，即使在存在快速电压变化的环境中也能保持信号完整性，避免误触发或数据丢失。这对于电机驱动、逆变器、PLC模块等工业控制系统至关重要。此外，SIL1162CS48TR的双通道设计支持独立的信号路径，可用于隔离两个单向数字信号，例如将微控制器的SPI时钟与数据线分别隔离，提升系统抗干扰能力。
　　在性能方面，SIL1162CS48TR支持高达150 Mbps的数据速率，远超传统光耦的传输速度，满足现代高速通信需求。其传播延迟仅为35 ns左右，且通道间匹配良好，减少了时序偏差，有助于简化系统时序设计。同时，芯片内置故障保护机制，包括开路检测和热关断功能，增强了系统的鲁棒性。低功耗设计使得其静态电流仅为2.5 mA（每通道），显著降低系统整体能耗，尤其适合便携式设备或绿色能源应用。
　　此外，SIL1162CS48TR符合多项国际安全标准，包括UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17，并通过AEC-Q100汽车级可靠性测试（部分版本），适用于工业自动化、电动汽车、医疗设备和可再生能源等多种高要求领域。其SOIC-8封装兼容标准贴片工艺，便于自动化生产，降低了制造成本。

SIL1162CS48TR广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中，尤其是在工业自动化和电力电子领域表现出色。典型应用场景包括可编程逻辑控制器（PLC）中的数字I/O隔离模块，用于将现场传感器或执行器信号与主控单元隔离开来，防止地环路干扰和高压冲击损坏核心处理器。
　　在电机驱动和逆变器系统中，该芯片常用于隔离控制侧与功率侧之间的PWM信号，确保栅极驱动器接收到干净、准确的开关指令，同时阻断高压侧的噪声反馈。在太阳能逆变器和储能系统中，SIL1162CS48TR可用于隔离串行通信接口（如SPI或UART），实现MCU与DC-DC转换器或电池管理单元（BMS）之间的安全数据交换。
　　此外，该器件也适用于工业通信接口隔离，如RS-485、CAN总线等，提升网络节点的抗干扰能力和系统稳定性。在医疗设备中，由于其符合严格的安全隔离标准，可用于病人连接设备中的信号隔离，保障使用者安全。
　　在电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC变换器和充电桩控制板中，SIL1162CS48TR提供了可靠的信号隔离解决方案，支持高压平台与低压控制电路之间的安全交互。同时，其高温工作能力使其能在发动机舱附近等恶劣环境中稳定运行。其他应用还包括隔离式ADC/DAC接口、开关电源反馈环路以及任何需要取代传统光耦以提升性能和寿命的场合。

Si8620BB-IMR
　　ADuM1201BRZ
　　ISO7721DRG4
　　DS800CP1