SIL100CT64 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高效率的应用场景。该器件采用先进的沟槽技术,提供了卓越的导通电阻(RDS(on))性能,同时具备快速开关能力,适合用于电源转换、电机控制、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。
类型:N 沟道
漏源电压(VDS):100V
漏极电流(ID):80A(最大值)
RDS(on):最大 2.8mΩ(典型值 2.3mΩ)
栅极阈值电压(VGS(th)):2.0V 至 4.0V
最大功耗(PD):250W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220AB
晶体管配置:单个
安装类型:通孔(Through Hole)
SIL100CT64 采用了 Vishay 的先进沟槽技术,使得其导通电阻极低,从而显著降低了导通状态下的功率损耗。这使得该器件非常适合用于高效率的电源管理系统,如服务器电源、电信设备电源和电池管理系统。
此外,该 MOSFET 具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其封装形式 TO-220AB 提供了良好的散热性能,便于在高功率应用中使用。
由于其快速开关特性,SIL100CT64 可以在高频开关电路中使用,有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统效率。栅极电荷(Qg)较低,减少了驱动电路的负担,从而提高了整体系统的响应速度。
该器件还具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能,能够在恶劣的电气环境中提供可靠的运行。这些特性使其成为工业控制、汽车电子和消费类电源设备的理想选择。
SIL100CT64 常用于高性能电源系统中,如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动电路。它也适用于高功率电池管理系统(BMS)、服务器电源供应器、UPS(不间断电源)、逆变器和工业自动化控制系统。
在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器(OBC)、电动助力转向系统(EPS)和直流电机控制模块。由于其优异的导通特性和热稳定性,SIL100CT64 也常被用于高功率 LED 驱动器和智能功率插座等消费类电子产品中。
Si7453DP-T1-GE3, IRF1404, FDP8030L, AUIRF1404S