时间：2025/5/8 18:05:43
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SIHP18N50C-E3 是一款由 SemiSouth 生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装形式。该器件具有 50V 的耐压能力，并且导通电阻较低，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场合。
其主要特点是高效率和低损耗，能够在高频工作条件下保持优异的性能。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：18A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：68nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
SIHP18N50C-E3 具有低导通电阻 (Rds(on))，能够显著减少传导损耗，从而提高系统效率。此外，它还具备较低的栅极电荷 (Qg)，有助于降低开关损耗，在高频应用场景中表现出色。
该器件采用了先进的制造工艺，确保了其在高温环境下依然能稳定运行。同时，TO-247 封装提供了良好的散热性能，适合大功率应用。
其典型的应用包括但不限于 DC-DC 转换器、逆变器、电机控制以及各类高效能电源设计。
DC-DC 转换器
开关电源
电机驱动
逆变器
工业自动化设备
电池管理系统
高频功率转换模块
IRFP140N
STP18NF50
FDP18N50C
