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SIHP12N50C-E3 发布时间 时间:2025/6/6 19:46:59 查看 阅读:5

SIHP12N50C-E3 是一款由 Semikron(赛米控)生产的高压 IGBT 模块,采用半桥拓扑结构设计。这款模块适用于工业变频器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件具备高可靠性、低损耗和出色的热性能,能够满足苛刻的工业应用需求。
  其内部集成了两个大电流 IGBT 芯片及续流二极管 (FWD),并采用了优化的封装技术以提高散热效率和电气性能。

参数

最大集电极-发射极电压:1200V
  连续集电极电流:50A
  短路耐受时间:10μs
  工作结温范围:-40℃ to +150℃
  导通压降:2.0V @ 50A
  开关损耗:Eon=1.6mJ,Eoff=2.4mJ
  栅极-发射极驱动电压:+15V / -15V
  封装形式:SEMITOP E3

特性

SIHP12N50C-E3 的主要特点是其卓越的电气特性和机械设计。首先,它具有高达 1200V 的阻断电压能力,适合中高压应用场景。其次,它的低导通压降减少了传导损耗,提高了整体效率。
  此外,该模块使用 SEMITOP E3 封装,这是一种紧凑且坚固的设计,支持通过螺钉安装到散热器上,从而增强了冷却效果。
  为了确保系统的稳定运行,该模块还提供了短路保护功能,能够在极端条件下承受长达 10 微秒的短路事件。
  最后,其宽泛的工作温度范围使得 SIHP12N50C-E3 能够适应各种恶劣环境。

应用

该 IGBT 模块广泛应用于以下领域:
  1. 工业变频器:用于控制电机速度和扭矩。
  2. 太阳能逆变器:将直流电转换为交流电以供电网使用。
  3. 不间断电源 (UPS):为关键设备提供备用电力支持。
  4. 风力发电系统:参与风能的转换与调节。
  5. 电动汽车充电站:实现高效的能量传输与管理。
  6. 焊接设备和其他需要高频功率转换的场合。

替代型号

SIHP12N50C-E4, SKM50GB127D

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SIHP12N50C-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压500 V
  • 闸/源击穿电压500 V
  • 漏极连续电流12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.46 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Reel
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)3 S
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散208 W