SIHP12N50C-E3 是一款由 Semikron(赛米控)生产的高压 IGBT 模块,采用半桥拓扑结构设计。这款模块适用于工业变频器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件具备高可靠性、低损耗和出色的热性能,能够满足苛刻的工业应用需求。
其内部集成了两个大电流 IGBT 芯片及续流二极管 (FWD),并采用了优化的封装技术以提高散热效率和电气性能。
最大集电极-发射极电压:1200V
连续集电极电流:50A
短路耐受时间:10μs
工作结温范围:-40℃ to +150℃
导通压降:2.0V @ 50A
开关损耗:Eon=1.6mJ,Eoff=2.4mJ
栅极-发射极驱动电压:+15V / -15V
封装形式:SEMITOP E3
SIHP12N50C-E3 的主要特点是其卓越的电气特性和机械设计。首先,它具有高达 1200V 的阻断电压能力,适合中高压应用场景。其次,它的低导通压降减少了传导损耗,提高了整体效率。
此外,该模块使用 SEMITOP E3 封装,这是一种紧凑且坚固的设计,支持通过螺钉安装到散热器上,从而增强了冷却效果。
为了确保系统的稳定运行,该模块还提供了短路保护功能,能够在极端条件下承受长达 10 微秒的短路事件。
最后,其宽泛的工作温度范围使得 SIHP12N50C-E3 能够适应各种恶劣环境。
该 IGBT 模块广泛应用于以下领域:
1. 工业变频器:用于控制电机速度和扭矩。
2. 太阳能逆变器:将直流电转换为交流电以供电网使用。
3. 不间断电源 (UPS):为关键设备提供备用电力支持。
4. 风力发电系统:参与风能的转换与调节。
5. 电动汽车充电站:实现高效的能量传输与管理。
6. 焊接设备和其他需要高频功率转换的场合。
SIHP12N50C-E4, SKM50GB127D