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SIHP120N60E-GE3 发布时间 时间:2025/5/8 15:03:49 查看 阅读:15

SIHP120N60E-GE3 是一款由 Semikron(赛米控)生产的高压 IGBT 模块,主要应用于工业变频器、风力发电、太阳能逆变器以及不间断电源(UPS)等高功率场景。该模块采用第3代增强型技术设计,具有较低的导通压降和开关损耗,从而提升系统效率并降低运行温度。
  该产品基于 NPT 技术制造,具备 1200V 的阻断电压能力,并能承受高达 60A 的额定电流。其内部结构为单管 IGBT 和续流二极管集成设计,能够实现高效的能量转换和保护功能。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:60A
  集电极-发射极饱和电压:≤2.0V(典型值 1.8V,@IC=30A,VGE=15V)
  栅极-发射极阈值电压:2.5V 至 4.5V
  开通时间:80ns
  关断时间:95ns
  热阻(结到外壳):0.22°C/W

特性

1. 使用最新的 IGBT 芯片技术,大幅降低开关损耗和导通损耗,提高整体效率。
  2. 集成快速恢复续流二极管,反向恢复时间短且无明显的尾电流,有效减少开关噪声。
  3. 内部优化布局设计,使寄生电感最小化,提高了抗电磁干扰的能力。
  4. 提供出色的可靠性和长寿命性能,在极端温度条件下仍能保持稳定工作。
  5. 外壳采用行业标准封装形式,便于安装和维护,同时确保良好的散热性能。

应用

1. 工业电机驱动及变频器
  2. 太阳能光伏逆变器
  3. 风力发电变流器
  4. 不间断电源(UPS)系统
  5. 电动汽车充电站
  6. 其他需要高电压大电流处理能力的电力电子设备

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SIHP120N60E-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥40.94000管件
  • 系列E
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)120 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1562 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)179W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB
  • 封装/外壳TO-220-3