时间：2025/4/30 16:20:03
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SIHH100N60E-T1-GE3 是一款由 SemiSouth 生产的增强型 N 沟道功率 MOSFET，基于碳化硅 (SiC) 技术。这款器件具有极低的导通电阻和高开关频率能力，适用于各种高效能应用。它能够承受高达 650V 的漏源电压，并提供卓越的热性能和可靠性。该产品主要面向工业、可再生能源以及汽车等领域的高性能电源转换系统。
最大漏源电压：650V
连续漏电流（25°C）：100A
导通电阻（典型值）：9mΩ
栅极电荷：75nC
开关速度：快速
封装类型：D2PAK
SIHH100N60E-T1-GE3 的核心优势在于其使用了先进的 SiC 材料技术，使其在高温环境下依然保持优异性能。其超低导通电阻降低了传导损耗，从而提高效率；同时具备出色的抗雪崩能力，增强了系统的可靠性和安全性。
此外，该器件支持高频操作，这使得设计人员可以减少无源元件尺寸并降低整体系统成本。由于其强大的电气性能和热稳定性，该 MOSFET 非常适合需要高功率密度的应用场景。
该芯片广泛应用于光伏逆变器、不间断电源 (UPS)、电动汽车充电设备、电机驱动电路以及其他要求高效能量转换的工业设备中。它的高频特性还特别适合 DC-DC 转换器及 PFC（功率因数校正）电路的设计。
CMF200A65DY,
C2M0080120D,
FFST150R12KT4
