SIHG73N60E:
　　漏源电压 Vds: 600V
　　漏极电流 Id: 73A
　　导通电阻 Rds(on): 0.11Ω
　　栅极电压 Vgs: ±20V
　　功率耗散 Pd: 300W
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　94N65:
　　漏源电压 Vds: 650V
　　漏极电流 Id: 9A
　　导通电阻 Rds(on): 0.8Ω
　　栅极电压 Vgs: ±20V
　　功率耗散 Pd: 50W
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C

SIHG73N60E 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高效率。它支持高达600V的漏源电压，并能够承受较大的漏极电流（73A），使其适用于高功率密度设计。该器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适合用于高温环境。此外，SIHG73N60E 的栅极驱动电压范围较宽，能够在±20V范围内稳定工作，增强了其在不同电路设计中的适用性。
　　该器件的开关速度快，能够有效减少开关损耗，在高频开关电源和DC-DC转换器中表现出色。其高可靠性和耐用性使其成为工业电源、UPS（不间断电源）、电机控制和光伏逆变器等应用的理想选择。此外，该MOSFET具备较低的电容，有助于提高开关速度并减少高频噪声的产生。
　　94N65 是一款适用于中高电压应用的N沟道MOSFET，具有较高的漏源击穿电压（650V）和良好的热稳定性。尽管其导通电阻较高（0.8Ω），但由于其成本较低，适合用于中等功率的应用场景。该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合用于常见的开关电源、照明驱动和功率控制电路中。此外，94N65 的开关特性较为稳定，适用于中等频率的开关操作，能够在较宽的温度范围内保持稳定工作。

SIHG73N60E 主要用于高功率开关电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、光伏逆变系统以及高效率DC-DC转换器。由于其高电流承载能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效率和高稳定性的工业设备和电力电子系统。
　　94N65 主要应用于中等功率的开关电源、LED驱动电路、照明控制系统、小型电机驱动以及家用电器中的功率控制模块。由于其成本较低且封装形式常见，适合用于对成本敏感且对效率要求不极端的应用场合。

SIHG73N60E 可以使用 FGH73N60 或 IXFH73N60 替代；
　　94N65 可以使用 IRF9N65C 或 STF9NM65N 替代。