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SIHG47N60EF-GE3 发布时间 时间:2025/5/8 14:15:05 查看 阅读:10

SIHG47N60EF-GE3 是一款由 Semikron(赛米控)生产的高压 MOSFET 晶体管,采用 TO-247 封装。该器件主要应用于工业控制、电源转换和电机驱动等领域。其额定电压为 600V,持续电流为 47A,具备低导通电阻和高开关速度的特性,适合在高频开关电路中使用。
  该型号属于 Enhanced Fast Recovery 系列,具有优化的动态性能和较低的开关损耗,同时能够满足严格的 EMC 要求。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:100nC
  总功耗:280W
  工作结温范围:-55℃ to +150℃

特性

1. 高压耐受能力:支持高达 600V 的漏源电压,适用于高压场景。
  2. 低导通电阻:典型值为 150mΩ,在大电流应用中降低功率损耗。
  3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷 (100nC),从而实现更快的开关速度。
  4. 稳定性与可靠性:能够在高温环境下运行,工作结温可达 +150℃。
  5. 高效散热设计:采用 TO-247 封装,具备良好的散热性能以适应长时间高负载运行。
  6. 符合 RoHS 标准:环保且无铅,满足国际环保法规要求。

应用

1. 工业变频器和伺服驱动器中的功率级元件。
  2. 不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器的核心开关器件。
  3. 电动车充电站及 DC-DC 转换器中的功率转换模块。
  4. 开关电源 (SMPS) 中用于高效能量传递的关键组件。
  5. 各类电机驱动系统,例如空调压缩机、泵和风扇等。

替代型号

SIHG47N60EF-G, SIHG47N60EF-GE

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SIHG47N60EF-GE3参数

  • 现有数量492现货
  • 价格1 : ¥79.10000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)47A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)67 毫欧 @ 24A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)225 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4854 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)379W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247AC
  • 封装/外壳TO-247-3