时间：2025/4/29 15:35:30
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SIHG30N60E-GE3 是一款由 SemiSouth 生产的 N 沫道场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-247 封装形式。该器件具有 600V 的耐压能力，适合用于高压应用场景，如开关电源、逆变器和电机驱动等。其低导通电阻特性有助于提高效率并降低功耗。
该型号属于增强型 MOSFET，具有快速开关速度和出色的热性能，广泛应用于工业和汽车领域。
最大漏源电压：600V
最大连续漏电流：30A
最大栅极源电压：±20V
导通电阻：1.1Ω
总栅极电荷：65nC
输入电容：1250pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SIHG30N60E-GE3 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压，适用于高压环境。
2. 低导通电阻设计，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，具备较低的栅极电荷和输出电荷，适用于高频应用。
4. 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，便于集成到各种电路中。
5. 广泛的工作温度范围，确保在极端条件下仍能稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
SIHG30N60E-GE3 可用于多种电力电子应用中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器
3. 电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电动汽车和混合动力汽车中的功率控制模块
该器件的高耐压和低导通电阻特性使其成为这些应用的理想选择。
SIHG40N65E-GE3
IXFN65W40T2
IRFP460
