SIHFR210 时间：2025/12/24 15:10:55 阅读：24

SIHFR210 是一款高性能的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于需要高效率和低损耗的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
　　其封装形式为 TO-220，适合散热需求较高的功率应用场合。SIHFR210 广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他功率转换系统中。

参数

型号：SIHFR210
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 V_DS：100V
　　最大栅源电压 V_GS：±20V
　　最大漏极电流 I_D：21A
　　导通电阻 R_DS(on)：3.5mΩ（在 V_GS=10V 的条件下）
　　总功耗 P_TOT：140W
　　结温范围 T_J：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

1. 极低的导通电阻，有效降低功率损耗。
　　2. 高速开关性能，适合高频应用场景。
　　3. 具有出色的热稳定性，能够在高温环境下正常工作。
　　4. 内置雪崩击穿保护功能，增强了器件的可靠性。
　　5. 良好的静电防护设计，提高产品的耐用性。
　　6. 支持大电流输出，适用于多种功率级电路。
　　7. 封装形式简单且易于安装，方便进行散热处理。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）的核心组件。
　　3. 电机驱动器中的功率控制单元。
　　4. 逆变器和 UPS 系统中的功率调节模块。
　　5. 各种工业自动化设备中的负载切换。
　　6. LED 照明驱动电路中的高效功率转换元件。