SIHFL9014T-E3 是一款高性能的 N 沃特定向场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于高效率功率转换电路。
该型号属于 Shielded Gate 系列,通过优化栅极结构显著降低了开关损耗,并提高了系统可靠性。其封装形式为 TO-252 (DPAK),支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:14A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:38nC
总电容:115pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-252 (DPAK)
1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了在大电流条件下更低的功耗。
2. 快速开关性能减少了开关损耗,特别适合高频 DC-DC 转换器。
3. 内置 Shielded Gate 技术提升了抗电磁干扰能力并改善了热稳定性。
4. 高雪崩击穿能量(EAS)增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 支持 AEC-Q101 认证,满足汽车级应用需求。
1. 汽车电子:如电动车辆的电机控制器、车载充电器等。
2. 工业电源:包括开关电源适配器、不间断电源(UPS)以及工业逆变器。
3. 消费类电子产品:用于笔记本电脑适配器、手机快充模块。
4. 太阳能微逆变器:提高光伏系统的转换效率。
5. LED 驱动电路:提供高效稳定的电流输出。
SIHF14N60E-D
STP14NM60W
IRF640N