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SIHFL110TR-GE3 发布时间 时间:2025/8/2 6:16:22 查看 阅读:27

SIHFL110TR-GE3 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package)封装。该器件适用于高性能电源管理应用,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,能够在高频率下工作,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统中。

参数

类型:MOSFET(N 沟道增强型)
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  漏极电流(Id):8A(连续)
  导通电阻 Rds(on):最大 17mΩ @ Vgs = 4.5V
  功率耗散(Pd):2.4W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TSSOP(6 引脚)
  栅极电荷(Qg):7.5nC @ Vgs = 4.5V
  输入电容(Ciss):360pF @ Vds = 10V

特性

SIHFL110TR-GE3 MOSFET 具备多项优异特性,首先其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率,尤其适用于需要高效能和低功耗的设计。该器件的栅极驱动电压范围宽,支持 1.8V 至 4.5V 的栅极电压,使其兼容多种控制电路,如 DSP、FPGA 和微控制器等数字系统。此外,该 MOSFET 的开关速度快,栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高整体电源转换效率。
  该器件的 TSSOP 封装具有较小的体积和良好的热性能,适合在空间受限的便携式设备中使用。其封装设计也降低了寄生电感,提高了高频开关性能。SIHFL110TR-GE3 还具备良好的热稳定性,在高负载条件下仍能保持稳定工作,适用于高温环境下的应用。
  在可靠性方面,该 MOSFET 设计有内置的静电放电(ESD)保护机制,提高了器件在运输和使用过程中的抗静电能力。此外,它符合 RoHS 环保标准,不含铅和卤素,适用于绿色电子产品制造。

应用

SIHFL110TR-GE3 主要应用于便携式电子设备的电源管理系统,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的 DC-DC 转换器和负载开关。在电机控制领域,该器件可用于小型直流电机的驱动电路,提供快速响应和高效的功率控制。在电池管理系统中,该 MOSFET 可用于实现电池保护电路中的充放电控制开关。此外,该器件还可用于 LED 背光驱动电路、热插拔电源控制、工业自动化设备中的功率开关以及各类电源管理模块中,发挥其高效能和高稳定性的优势。

替代型号

Si2301DS, BSS138K, 2N7002K

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SIHFL110TR-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥5.01000剪切带(CT)2,500 : ¥1.77257卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)540 毫欧 @ 900mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)180 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta),3.1W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-223
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA