时间：2025/8/2 6:16:22
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SIHFL110TR-GE3 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP（Thin Shrink Small Outline Package）封装。该器件适用于高性能电源管理应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够在高频率下工作，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统中。
类型：MOSFET（N 沟道增强型）
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
漏极电流（Id）：8A（连续）
导通电阻 Rds(on)：最大 17mΩ @ Vgs = 4.5V
功率耗散（Pd）：2.4W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TSSOP（6 引脚）
栅极电荷（Qg）：7.5nC @ Vgs = 4.5V
输入电容（Ciss）：360pF @ Vds = 10V
SIHFL110TR-GE3 MOSFET 具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其适用于需要高效能和低功耗的设计。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持 1.8V 至 4.5V 的栅极电压，使其兼容多种控制电路，如 DSP、FPGA 和微控制器等数字系统。此外，该 MOSFET 的开关速度快，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体电源转换效率。
该器件的 TSSOP 封装具有较小的体积和良好的热性能，适合在空间受限的便携式设备中使用。其封装设计也降低了寄生电感，提高了高频开关性能。SIHFL110TR-GE3 还具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定工作，适用于高温环境下的应用。
在可靠性方面，该 MOSFET 设计有内置的静电放电（ESD）保护机制，提高了器件在运输和使用过程中的抗静电能力。此外，它符合 RoHS 环保标准，不含铅和卤素，适用于绿色电子产品制造。
SIHFL110TR-GE3 主要应用于便携式电子设备的电源管理系统，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的 DC-DC 转换器和负载开关。在电机控制领域，该器件可用于小型直流电机的驱动电路，提供快速响应和高效的功率控制。在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于实现电池保护电路中的充放电控制开关。此外，该器件还可用于 LED 背光驱动电路、热插拔电源控制、工业自动化设备中的功率开关以及各类电源管理模块中，发挥其高效能和高稳定性的优势。
Si2301DS, BSS138K, 2N7002K
