时间：2025/6/17 19:41:11
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SIHD186N60EF-GE3 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压功率MOSFET，采用N沟道增强型结构。该器件专为高效率和高性能的开关应用而设计，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适用于工业和消费类电子设备中的电源管理、电机驱动以及开关模式电源（SMPS）。该芯片基于先进的制造工艺，能够承受高达650V的漏源电压，并提供出色的热性能和可靠性。
漏源电压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：270mΩ
栅极电荷(Qg)：38nC
输入电容(Ciss)：2290pF
反向传输电容(Crss)：140pF
总电荷(Qtot)：85nC
功耗(PD)：180W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
SIHD186N60EF-GE3 提供了卓越的电气性能，包括低导通电阻以减少传导损耗，同时优化的栅极电荷使其具备快速的开关能力。其高耐压特性允许在恶劣的电气环境下运行，非常适合高压开关应用。
此外，该器件具有出色的热稳定性，在高温条件下仍能保持可靠的性能。芯片内部集成了多种保护功能，例如雪崩击穿保护和过流保护，进一步增强了系统的鲁棒性。
此产品支持高效能功率转换，适用于硬开关和软开关拓扑结构。其采用行业标准的TO-247封装，便于安装和散热管理。
SIHD186N60EF-GE3 广泛应用于各种高电压功率转换场景，典型应用包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 工业逆变器和变频器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能微型逆变器
5. 不间断电源(UPS)系统
6. 电池充电器
7. LED照明驱动电路
由于其高效率和高可靠性，这款MOSFET特别适合需要频繁开关操作且对能耗敏感的应用场合。
STD80NM60
IRFP460
STP18NF60
