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SIHD186N60EF-GE3 发布时间 时间:2025/6/17 19:41:11 查看 阅读:19

SIHD186N60EF-GE3 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压功率MOSFET,采用N沟道增强型结构。该器件专为高效率和高性能的开关应用而设计,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,适用于工业和消费类电子设备中的电源管理、电机驱动以及开关模式电源(SMPS)。该芯片基于先进的制造工艺,能够承受高达650V的漏源电压,并提供出色的热性能和可靠性。

参数

漏源电压(Vds):650V
  连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):270mΩ
  栅极电荷(Qg):38nC
  输入电容(Ciss):2290pF
  反向传输电容(Crss):140pF
  总电荷(Qtot):85nC
  功耗(PD):180W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

SIHD186N60EF-GE3 提供了卓越的电气性能,包括低导通电阻以减少传导损耗,同时优化的栅极电荷使其具备快速的开关能力。其高耐压特性允许在恶劣的电气环境下运行,非常适合高压开关应用。
  此外,该器件具有出色的热稳定性,在高温条件下仍能保持可靠的性能。芯片内部集成了多种保护功能,例如雪崩击穿保护和过流保护,进一步增强了系统的鲁棒性。
  此产品支持高效能功率转换,适用于硬开关和软开关拓扑结构。其采用行业标准的TO-247封装,便于安装和散热管理。

应用

SIHD186N60EF-GE3 广泛应用于各种高电压功率转换场景,典型应用包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 工业逆变器和变频器
  3. 电机驱动与控制
  4. 太阳能微型逆变器
  5. 不间断电源(UPS)系统
  6. 电池充电器
  7. LED照明驱动电路
  由于其高效率和高可靠性,这款MOSFET特别适合需要频繁开关操作且对能耗敏感的应用场合。

替代型号

STD80NM60
  IRFP460
  STP18NF60

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SIHD186N60EF-GE3参数

  • 现有数量5,433现货
  • 价格1 : ¥24.57000管件
  • 系列EF
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)201 毫欧 @ 9.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)32 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1118 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)156W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63