SIG630E30T1G 时间：2025/7/28 13:19:32 阅读：4

SIG630E30T1G 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，优化了导通电阻和开关性能，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。其主要设计目的是在高电流、高频率条件下提供优异的性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：18A（最大值）
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：16mΩ（典型值，VGS = 10V）
　　功率耗散（PD）：47W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双片封装

特性

SIG630E30T1G 采用了 Vishay 的新型沟槽技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗。该器件具有极低的 RDS(on) 值，使其在高电流应用中表现出色。
　　此外，该 MOSFET 具有出色的热性能和电流承载能力，适用于高功率密度设计。其 PowerPAK SO-8 封装结构不仅减小了 PCB 占用空间，还提高了散热效率。
　　该器件的开关性能经过优化，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制电路。此外，其高栅极耐压能力（±20V）提供了更高的设计灵活性，防止栅极电压尖峰导致的损坏。
　　由于其高可靠性和高性能，SIG630E30T1G 非常适合用于汽车电子、工业电源和便携式设备等对效率和稳定性要求较高的场合。

应用

SIG630E30T1G 主要应用于以下领域：
　　1. DC-DC 转换器：如同步整流器、降压/升压转换器，提供高效率的电源转换。
　　2. 电池管理系统：用于便携式电子设备中的负载开关和充放电控制。
　　3. 电机驱动和马达控制：适用于需要高电流和高频切换的场合。
　　4. 汽车电子：如车载电源系统、LED 驱动和车载充电器。
　　5. 工业自动化和电源管理模块：用于高效能电源供应系统。