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SIG5E7.0T1G 发布时间 时间:2025/7/7 9:15:52 查看 阅读:19

SIG5E7.0T1G是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业和电力电子领域。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极性晶体管的低导通压降特性,从而实现了高效的功率转换。其设计适合于高频开关应用,能够显著降低开关损耗并提升系统效率。
  该IGBT模块采用了先进的封装技术,确保在高电流和高电压条件下稳定运行。同时,它还内置了过流保护和短路保护功能,进一步增强了模块的可靠性和安全性。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:400A
  集电极-发射极饱和电压:≤1.8V
  门极阈值电压:6V~8V
  开关频率:最高可达20kHz
  工作温度范围:-40℃~+150℃
  热阻:0.1℃/W
  封装形式:焊接型或压接型

特性

1. SIG5E7.0T1G具有较低的导通压降,这使得它能够在高负载条件下保持较低的功耗,从而减少发热并延长使用寿命。
  2. 高效的开关性能使其适用于多种高频应用场景,例如变频器、逆变焊机和不间断电源(UPS)。
  3. 内置多重保护机制,包括过流保护和短路保护,可以有效防止因异常情况导致的损坏。
  4. 稳定的工作温度范围使其适应各种严苛环境下的使用需求。
  5. 先进的封装设计优化了散热性能,提高了模块的整体可靠性。

应用

1. 工业变频器中用于控制电机速度和扭矩。
  2. 在太阳能逆变器中实现直流到交流的高效转换。
  3. 作为核心功率器件应用于不间断电源系统(UPS)。
  4. 用于电动车驱动系统中的功率调节与管理。
  5. 在焊接设备中提供精确的电流控制以保证焊接质量。

替代型号

FF400R12ME4
  CM400DY-24FS
  SKM400GB12T4

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