时间：2025/5/19 10:36:28
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SIG25N60F是一款由Signetics公司生产的高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于各种高频开关应用。其额定电压为600V，最大漏极电流可达25A，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。
SIG25N60F的设计优化了热性能和电气性能，能够满足高效能功率转换系统的需求。同时，它具备良好的雪崩能力和抗静电能力，确保在恶劣环境下稳定工作。
额定电压：600V
最大漏极电流：25A
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
总功耗：200W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
SIG25N60F的主要特性包括：
1. 高击穿电压（600V），适用于高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（1.8Ω），有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，降低了开关损耗，适合高频应用。
4. 具备优秀的雪崩能量吸收能力，增强了器件的可靠性。
5. 封装形式为TO-247，便于散热设计。
6. 广泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），适应多种工作条件。
SIG25N60F可应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 太阳能逆变器及其它类型的逆变器。
4. 电力变换设备中的功率因数校正（PFC）电路。
5. 各类工业控制系统的功率输出级。
6. 电磁兼容性（EMC）滤波器中的主动元件。
IRFP250N
STP25NF60
FDP17N60
