SID15N10 时间：2025/6/11 20:14:49 阅读：8

SID15N10是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用N沟道增强型技术，能够提供高效的电流控制能力，并且具有较低的导通电阻，从而提高系统的整体效率。
　　其封装形式为TO-220，这种封装方式具备良好的散热性能，适合在高功率应用场景中使用。SID15N10以其卓越的电气特性和可靠性，成为许多电子设计工程师的理想选择。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：15A
　　栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻：0.07Ω（典型值）
　　功耗：135W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

SID15N10具有以下主要特性：
　　1. 低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
　　2. 高击穿电压（100V），能够在较宽的电压范围内稳定工作。
　　3. 快速开关速度，减少了开关损耗并支持高频应用。
　　4. 较高的电流承载能力（15A），使其适用于大功率系统。
　　5. TO-220封装，提供出色的散热性能。
　　6. 优异的热稳定性，在极端温度条件下依然保持可靠性能。
　　7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。

应用

SID15N10因其优秀的性能而被广泛用于多种电子应用领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
　　2. 电机驱动电路，例如直流无刷电机控制器。
　　3. LED驱动器，提供精确的电流控制。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换。
　　5. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
　　6. 各类需要高效开关的消费电子产品。
　　凭借其强大的性能和可靠性，SID15N10成为了许多复杂电子系统的核心元件之一。