时间：2025/11/7 12:21:01
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SID13A04F00A1是一款由英飞凌（Infineon）科技公司生产的高性能硅基光电隔离器（Silicon Photomultiplier, SiPM），属于其XENSIV?系列传感器产品线。该器件结合了先进的半导体制造工艺与光子探测技术，能够实现对单个光子级别的高灵敏度检测。它主要面向需要极高时间分辨率和光子计数能力的应用场景，例如激光雷达（LiDAR）、医疗成像设备（如PET扫描仪）、工业测距系统以及高能物理实验中的粒子探测等。SID13A04F00A1采用了紧凑型表面贴装封装，具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力，适用于严苛的工作环境。其设计优化了暗电流、串扰和增益一致性等关键参数，确保在宽温度范围内保持卓越的探测性能。此外，该芯片集成了多个微单元（microcells），每个微单元相当于一个独立工作的雪崩光电二极管（APD），通过并联方式输出总信号，从而实现高动态范围和快速响应特性。整体而言，SID13A04F00A1是一款专为高端光子探测应用而设计的先进固态传感器，代表了当前SiPM技术的发展方向之一。
型号：SID13A04F00A1
制造商：Infineon Technologies
产品类型：硅光电倍增管（SiPM）
有效感光面积：3 × 3 mm2
像素数量：13248 microcells
单微元面积：75 × 75 μm2
工作电压范围：约24 V 至 32 V（典型值）
增益：≥ 1×10?（典型值）
光谱响应范围：300 nm 至 900 nm
峰值波长响应：约 420 nm
暗计数率（DCR）：< 100 kHz/mm2（@过驱压5V，25°C）
光子探测效率（PDE）：最大可达40%以上（取决于波长和偏置条件）
串扰概率：< 5%（典型值）
恢复时间：< 50 ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
封装类型：表面贴装，陶瓷DIP或LCC封装
引脚数：6引脚或8引脚（依具体版本而定）
SID13A04F00A1具备出色的光子探测效率（Photon Detection Efficiency, PDE），能够在可见光至近红外波段内高效捕获入射光子，尤其在蓝光区域表现出优异的响应能力。这得益于其采用的深扩散工艺和优化的微结构设计，使得更多的光子能够被有效吸收并触发雪崩效应。每个微单元都工作在盖革模式下，当光子撞击到PN结并产生电子-空穴对时，会在高电场作用下引发自持雪崩，从而形成可测量的电信号脉冲。由于所有微单元并联连接，输出信号为各单元响应之和，因此具有类比输出特性，适合用于量化入射光强度。
该器件拥有极低的暗计数率（Dark Count Rate, DCR），显著减少了无光照条件下因热激发引起的虚假计数，提升了信噪比和系统的可靠性。同时，其串扰抑制机制经过专门优化，降低了相邻微单元之间因光子反馈或电荷扩散导致的误触发概率，进一步提高了探测精度。此外，SID13A04F00A1具备快速恢复时间，支持高频光脉冲检测，在激光雷达等需要纳秒级时间分辨能力的应用中表现突出。
集成化程度高是其另一大优势，内部无需额外的高压电源模块即可正常工作，简化了外围电路设计。配合恒流源供电与温度补偿机制，可在不同环境条件下维持稳定的增益水平。其陶瓷封装不仅提供良好的机械保护，还具备优异的热导性和气密性，有助于长期稳定运行。整体设计兼顾高性能与实用性，适用于要求严苛的工业、科研及医疗领域。
SID13A04F00A1广泛应用于需要高灵敏度光子探测的技术领域。在自动驾驶与智能交通系统中，它被用作激光雷达（LiDAR）的核心感光元件，用于远距离目标识别与三维空间建模，凭借其高时间分辨率和强弱光适应能力，可实现厘米级测距精度，并在复杂光照环境下保持稳定工作。在核医学成像方面，尤其是正电子发射断层扫描（PET）设备中，该器件取代传统光电倍增管（PMT），作为闪烁晶体后的光信号转换组件，能够更精确地捕捉伽马射线引发的闪烁事件，提升图像分辨率与诊断准确性。
在工业自动化领域，SID13A04F00A1可用于高精度距离测量、液位检测、物体定位等非接触式传感任务，特别是在粉尘、烟雾或低反射率环境中仍能可靠运作。科研应用方面，该芯片常见于粒子物理实验、荧光寿命测量（FLIM）、量子通信与单光子实验平台，支持对极微弱光信号的长时间稳定采集与分析。此外，还可用于生物光子学研究、天文观测辅助设备以及安全监控系统的夜视增强模块，展现出广泛的适用性与技术前瞻性。
SPL S1FA30-06CT
