型号：SID1182KQ
　　封装类型：SOIC-16
　　通道数：2
　　隔离电压：5000 VRMS
　　最大工作电压：1200 V
　　最大输出电流：2.5 A
　　电源电压范围：15 V 至 30 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　传播延迟：100 ns（最大）
　　上升/下降时间：30 ns / 25 ns
　　输入信号类型：CMOS/TTL 兼容

SID1182KQ 具备多项先进特性，确保其在高性能功率系统中的可靠运行。
　　首先，其采用的光耦隔离技术提供了高达 5000 VRMS 的电气隔离，可有效防止高电压侧对控制电路的干扰，提升系统的安全性与稳定性。
　　其次，该芯片支持双通道输出，每个通道均可提供高达 2.5A 的峰值驱动电流，能够有效驱动大功率 IGBT 和 MOSFET 器件，适用于高频率、高效率的开关应用。
　　此外，SID1182KQ 内置欠压保护（UVLO）功能，在电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止因驱动电压不足而导致的器件损坏或误操作。
　　该芯片的传播延迟时间短，最大仅为 100ns，确保信号传输的快速性和精确性，适用于需要高速开关的工业自动化和电机控制应用。
　　最后，其 SOIC-16 封装结构紧凑，便于 PCB 布局，并具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力，适用于各种复杂环境条件下的工业设备。

SID1182KQ 主要应用于需要高可靠性和高性能的功率电子系统中。例如，它广泛用于工业变频器和伺服驱动器中，作为 IGBT 或功率 MOSFET 的隔离驱动器，确保电机控制系统的稳定运行。
　　在可再生能源领域，该芯片可用于光伏逆变器和风力发电变流器中，实现对功率器件的高效驱动和隔离保护。
　　此外，SID1182KQ 还适用于电动汽车充电设备、UPS（不间断电源）、智能电网设备以及各种高电压、高频率的开关电源系统。
　　由于其出色的抗干扰能力和紧凑的封装设计，该芯片也非常适合用于空间受限且工作环境复杂的工业自动化控制系统中。

Si8262BB-D-ISR、HCPL-J312、ACPL-P340、TLP250、IRS2104S