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SIC638ACD-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/3 10:14:27 查看 阅读:2

SIC638ACD-T1-GE3 是一款由 Wolfspeed(原 Cree)生产的碳化硅(SiC)功率 MOSFET 芯片。该器件采用 TO-247 封装,具有出色的开关性能和低导通电阻特性,适用于高效率、高频工作的电源转换器和逆变器等应用。得益于碳化硅材料的优异性能,这款芯片能够在高温环境下保持稳定运行,并显著降低能量损耗。
  该型号是专为工业和汽车级应用设计的,具有增强的耐用性和可靠性。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:7mΩ
  栅极电荷:150nC
  开关频率:高达 1MHz
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 高击穿电压:1200V 的额定电压使得该器件适合高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻:仅为 7mΩ,可有效降低传导损耗。
  3. 快速开关能力:由于其较小的栅极电荷,能够实现更高的开关速度,从而提高系统效率。
  4. 高温操作:支持最高 175℃ 的结温,非常适合在恶劣条件下使用。
  5. 减少电磁干扰:优化的开关性能可以降低 EMI 问题。
  6. 增强的热管理:通过改进的封装设计,提高了散热性能。

应用

1. 太阳能逆变器:用于 DC-AC 转换,以提高转换效率。
  2. 电动汽车充电站:作为核心功率器件,提升充电速度和效率。
  3. 工业电机驱动:提供高效且稳定的电源控制。
  4. 不间断电源(UPS):确保电力供应的可靠性和稳定性。
  5. 高频 DC-DC 转换器:实现更小尺寸的设计,同时维持高效能。
  6. 牵引逆变器:用于电动车和混合动力车中的动力系统控制。

替代型号

SIC638ADP-T1-GE3, C2M0075120D, FGH15N120SMD

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SIC638ACD-T1-GE3参数

  • 现有数量2,674现货
  • 价格1 : ¥22.42000剪切带(CT)3,000 : ¥11.84233卷带(TR)
  • 系列VRPower?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 输出配置半桥(2)
  • 应用同步降压转换器
  • 接口PWM
  • 负载类型电感,电容性
  • 技术功率 MOSFET
  • 导通电阻(典型值)-
  • 电流 - 输出/通道50A
  • 电流 - 峰值输出-
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 电压 - 负载4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 特性自举电路,二极管仿真,状态标志
  • 故障保护击穿,UVLO
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳PowerPAK? MLP55-31L
  • 供应商器件封装PowerPAK? MLP55-31L