时间：2025/4/3 10:14:27
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SIC638ACD-T1-GE3 是一款由 Wolfspeed（原 Cree）生产的碳化硅（SiC）功率 MOSFET 芯片。该器件采用 TO-247 封装，具有出色的开关性能和低导通电阻特性，适用于高效率、高频工作的电源转换器和逆变器等应用。得益于碳化硅材料的优异性能，这款芯片能够在高温环境下保持稳定运行，并显著降低能量损耗。
该型号是专为工业和汽车级应用设计的，具有增强的耐用性和可靠性。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：40A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：150nC
开关频率：高达 1MHz
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高击穿电压：1200V 的额定电压使得该器件适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻：仅为 7mΩ，可有效降低传导损耗。
3. 快速开关能力：由于其较小的栅极电荷，能够实现更高的开关速度，从而提高系统效率。
4. 高温操作：支持最高 175℃ 的结温，非常适合在恶劣条件下使用。
5. 减少电磁干扰：优化的开关性能可以降低 EMI 问题。
6. 增强的热管理：通过改进的封装设计，提高了散热性能。
1. 太阳能逆变器：用于 DC-AC 转换，以提高转换效率。
2. 电动汽车充电站：作为核心功率器件，提升充电速度和效率。
3. 工业电机驱动：提供高效且稳定的电源控制。
4. 不间断电源（UPS）：确保电力供应的可靠性和稳定性。
5. 高频 DC-DC 转换器：实现更小尺寸的设计，同时维持高效能。
6. 牵引逆变器：用于电动车和混合动力车中的动力系统控制。
SIC638ADP-T1-GE3, C2M0075120D, FGH15N120SMD
