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SIA519EDJ-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/27 16:47:49 查看 阅读:13

SIA519EDJ-T1-GE3 是一款基于硅技术的高精度电流传感器芯片,采用全集成霍尔效应原理设计。该芯片能够在无需额外隔离的情况下直接测量直流和交流电流,并提供与被测电流成比例的电压输出信号。其封装形式为SOIC-8,适合在空间受限的应用环境中使用。SIA519EDJ-T1-GE3具备高灵敏度、低噪声和良好的温度稳定性,适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的电流检测场景。

参数

供电电压:5V ± 0.25V
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  带宽:80kHz
  响应时间:典型值 2μs
  灵敏度:25mV/A
  最大输入电流:±50A
  输出阻抗:≤6Ω
  电源电流:典型值 9mA

特性

SIA519EDJ-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 高线性度,能够精确地测量电流。
  2. 内置温度补偿功能,确保在整个工作温度范围内保持稳定的性能。
  3. 集成 EMC 滤波器,有效降低外部电磁干扰的影响。
  4. 小型化 SOIC-8 封装,适合紧凑型设计。
  5. 支持宽范围的直流和交流电流测量,灵活性强。
  6. 内部包含短路保护机制,提高系统可靠性。
  7. 提供与电流成正比的模拟电压输出,便于后续信号处理。
  8. 符合 AEC-Q100 标准,适合汽车级应用。

应用

SIA519EDJ-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
  1. 工业电机控制中的电流监控。
  2. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器电流监测。
  3. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器和智能家居设备中的功率管理。
  4. 光伏逆变器和其他可再生能源设备中的电流检测。
  5. 医疗设备中对关键电路部分的实时电流监测。
  6. 家用电器(如空调、冰箱等)中的节能优化控制。

替代型号

SIA519EDJ-T1-GE1
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SIA519EDJ-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 4.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 10V
  • 功率 - 最大7.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SC-70-6 双
  • 供应商设备封装PowerPAK? SC-70-6 双
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SIA519EDJ-T1-GE3TR