时间：2025/8/2 6:29:09
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SIA477EDJT-T1-GE3是一款由Vishay Siliconix制造的高性能双N沟道增强型MOSFET。该器件采用TSSOP（Thin-Shrink Small Outline Package）封装，适用于高效率电源管理和负载开关应用。其设计目标是提供低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量以及快速开关性能，广泛应用于笔记本电脑、服务器、电源管理单元（PMU）以及DC-DC转换器等领域。该器件符合RoHS标准，并具有无铅环保封装。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：11A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值，VGS=10V）
功耗（PD）：2.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP
引脚数：8
湿度敏感度：1级
安装类型：表面贴装
SIA477EDJT-T1-GE3采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了极低的导通电阻和优异的热性能。该器件的双N沟道结构使其非常适合用于同步整流、负载开关和高效率DC-DC转换器设计。其栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的稳定工作，因此可以与多种控制器和驱动器兼容。
该MOSFET具有快速开关能力，开关损耗低，有助于提高整体系统效率。此外，TSSOP封装提供了良好的散热性能，并节省PCB空间，适用于高密度电源设计。器件的封装材料符合RoHS指令，且不含卤素，满足现代电子产品对环保材料的要求。
在热管理方面，SIA477EDJT-T1-GE3具有较低的热阻（RθJA），确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。其栅极氧化层经过优化设计，具有良好的抗静电能力（ESD）和长期可靠性，适用于工业和消费类电子应用。
SIA477EDJT-T1-GE3广泛应用于需要高效功率管理的系统中，例如：
- 笔记本电脑和超极本的电源管理系统
- 服务器和通信设备的DC-DC转换器
- 同步整流器设计
- 电池管理系统（BMS）
- 负载开关和热插拔电路
- 电源管理IC（PMIC）外围器件
- 工业自动化和控制系统
该器件特别适合用于需要高电流、低导通损耗和快速开关特性的场合，能够显著提升系统的能效和可靠性。
Si7476DP-T1-E3, FDMF6870S, SIA475EDJ-T1-GE3
