时间：2025/8/2 5:13:34
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SIA465EDJ-T1-GE3 是 Vishay Semiconductor 推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高功率、高效率的电源系统中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优良的热性能。SIA465EDJ-T1-GE3 采用 TSSOP 封装（超薄小外形封装），适用于各种空间受限的应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（ID）：最大 8.8A
漏极-源极电压（VDS）：最大 30V
栅极-源极电压（VGS）：最大 ±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.018Ω（在 VGS=10V 时）
栅极电荷（Qg）：典型值 12nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TSSOP
功率耗散（PD）：最大 2.5W
SIA465EDJ-T1-GE3 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件的栅极电荷（Qg）相对较低，有助于减少开关损耗，从而在高频开关应用中表现优异。
其次，SIA465EDJ-T1-GE3 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供优异的热管理和耐用性，能够在较高的温度环境下稳定运行。其最大漏极电流可达 8.8A，适用于需要高电流承载能力的场景。
此外，该 MOSFET 的封装形式为 TSSOP，具有较小的封装尺寸，适合在空间受限的设计中使用。其最大漏极-源极电压为 30V，适用于多种低压功率应用。SIA465EDJ-T1-GE3 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护。
最后，该器件的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，使其适用于广泛的工业和消费类电子设备。由于其出色的电气特性和热稳定性，SIA465EDJ-T1-GE3 成为了许多高功率密度设计的理想选择。
SIA465EDJ-T1-GE3 主要应用于高效率电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池供电设备。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换应用，如服务器电源、工业自动化设备、便携式电子产品以及汽车电子系统。
在 DC-DC 转换器中，SIA465EDJ-T1-GE3 可作为主开关器件，提供高效率和低功耗的特性。在负载开关电路中，该 MOSFET 可用于控制电源的分配，实现快速开关操作和低静态功耗。此外，在电机控制应用中，SIA465EDJ-T1-GE3 可用于驱动小型电机或执行器，提供可靠的功率控制。
由于其 TSSOP 封装的紧凑尺寸，SIA465EDJ-T1-GE3 也广泛应用于便携式设备和空间受限的设计中。同时，其良好的热性能使其能够在高负载条件下稳定运行，适用于需要长时间连续工作的工业设备。
SI4465DY-T1-GE3, SIA465EDJ-T1-GE3, FDS4685, NVTFS5C471NL
