时间：2025/8/2 5:29:54
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SIA445EDJT-T1-GE3是一款由Vishay Siliconix制造的P沟道增强型MOSFET，广泛用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的TrenchFET技术，提供低导通电阻和优异的热性能，适用于高效率的电源系统设计。
类型：P沟道
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：-10A
导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS = -10V
导通电阻(RDS(on))：35mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散(PD)：3.1W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：8-SOIC
安装类型：表面贴装
技术：TrenchFET
SIA445EDJT-T1-GE3采用了Vishay的TrenchFET技术，使得该MOSFET在导通状态下具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其P沟道结构使其非常适合用于高边开关应用，如电源管理系统中的负载开关或DC-DC转换器。此外，该器件具有较高的栅极电压容限（±20V），提供了更好的稳定性和可靠性。
在热性能方面，SIA445EDJT-T1-GE3的封装设计能够有效散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其3.1W的功率耗散能力使其适用于多种中高功率应用。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适应广泛的工业环境，包括高温和低温应用场景。其8-SOIC封装形式也便于在高密度PCB设计中使用，减少了占用空间。
SIA445EDJT-T1-GE3常用于以下应用领域：电源管理系统、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、高边开关、工业自动化设备、便携式电子产品、汽车电子系统（如车载充电器、ECU电源管理）等。
Si4455BDJ-E3, AO4455, FDD8852C, FDS4455
