时间：2025/8/2 6:32:42
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SIA430DJT-T1-GE3 是 Vishay Semiconductor 生产的一款双N沟道增强型功率MOSFET，采用8引脚TDFN封装。该器件适用于高性能电源管理和负载开关应用，具有低导通电阻和高功率密度的特点。该MOSFET广泛用于笔记本电脑、服务器、DC-DC转换器和电池管理系统中。
类型：MOSFET
通道类型：双N沟道
漏源电压（Vds）：30V
连续漏极电流（Id）@25°C：9.8A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：24mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=2.5V：34mΩ
栅极电荷（Qg）@4.5V：10nC
功耗（Pd）：3.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TDFN-8
SIA430DJT-T1-GE3 的主要特性包括其低导通电阻，这使得该MOSFET在高电流应用中能够实现更低的功率损耗和更少的热量产生。其双N沟道设计允许在同一封装内集成两个独立的MOSFET，从而节省PCB空间并提高系统集成度。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持2.5V至4.5V之间的驱动电压，使其适用于多种控制电路，包括低压控制器和逻辑IC。此外，该MOSFET具有快速开关能力，适用于高频DC-DC转换器和同步整流应用。
采用TDFN封装，具有良好的热性能，能够有效散热以维持稳定工作状态。该封装还具备较低的引脚电感，有助于减少开关噪声和寄生效应。
该MOSFET的高可靠性使其适用于严苛的工业和汽车电子环境，符合RoHS和无卤素标准，确保了环保性能。
SIA430DJT-T1-GE3 主要应用于高性能电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。此外，它也常用于服务器、笔记本电脑、平板电脑、便携式设备和工业自动化设备中的高效能电源设计。
由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适合用于需要高效能和低损耗的电源转换系统，例如多相电源供应器和电源管理模块。
此外，该器件还可用于LED背光驱动电路、USB电源开关以及电源分配系统中的负载管理。
SI4303BDY-T1-E3, SIA430DJ-E3, NXM4301N, TPC8104-H
