时间：2025/8/2 5:52:56
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SIA411DJ-T1-GE3是一款由Vishay公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和负载开关等电路中。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于需要高效能和小尺寸封装的应用场景。该器件采用SOT-23封装，便于在PCB上安装和使用。
类型：P沟道
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-4.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω @ Vgs = -4.5V，0.085Ω @ Vgs = -2.5V
功耗（Pd）：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
SIA411DJ-T1-GE3 MOSFET具有多项优异特性，首先其低导通电阻可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关应用。此外，SIA411DJ-T1-GE3采用了TrenchFET技术，使得芯片结构更加紧凑，提高了单位面积内的电流密度，从而在小封装中实现了更高的性能。该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。最后，其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于焊接和自动化装配，适合用于便携式电子设备、电源管理系统、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的场合。
SIA411DJ-T1-GE3广泛应用于各类电子设备中的电源管理电路，例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品中的负载开关和电源切换电路。它也适用于DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动电路以及各种需要高效功率控制的工业和消费类电子产品。
Si4410BDY-T1-GE3, BSS84LT1G, FDN340P
