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SIA406DJ-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/27 19:06:03 查看 阅读:29

SIA406DJ-T1-GE3 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的光电耦合器,主要应用于工业和通信领域。该器件采用 SO-4 封装形式,具有高隔离电压、高速传输特性和良好的抗噪能力。其内部包含一个 GaAs 发光二极管(LED)和一个硅光电晶体管,用于实现电信号的电-光-电转换。这种设计使其非常适合需要电气隔离的应用场景。

参数

类型:光电耦合器
  封装:SO-4
  工作温度范围:-40°C 至 +110°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  最大正向电流:IF:50mA
  最大集电极电流:IC:50mA
  传播延迟时间:典型值:8μs
  上升时间:典型值:0.7μs
  下降时间:典型值:0.5μs
  隔离电压:3750Vrms
  输入输出电容:2pF

特性

SIA406DJ-T1-GE3 的设计以高可靠性为核心,能够提供卓越的信号隔离性能。
  1. 高隔离电压:3750Vrms,确保在高压环境下安全运行。
  2. 快速响应:具有低至 8μs 的传播延迟时间,适用于高速信号传输应用。
  3. 宽工作温度范围:从 -40°C 到 +110°C,适应各种恶劣环境。
  4. 紧凑封装:SO-4 封装使其适合空间受限的设计。
  5. 抗干扰能力强:光电耦合器本身具备良好的电磁兼容性(EMC),可有效减少外部噪声对信号的影响。
  6. 长寿命:由于采用了先进的 LED 和光电晶体管技术,器件寿命显著提高。

应用

SIA406DJ-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
  1. 工业控制设备中的信号隔离。
  2. 可编程逻辑控制器(PLC)和数据采集系统。
  3. 通信接口的电气隔离,例如 RS-232 和 RS-485。
  4. 电源管理系统的反馈回路。
  5. 医疗电子设备中的安全隔离电路。
  6. 汽车电子中对电气噪声敏感的模块。
  7. 各种需要电气隔离的数字和模拟信号传输场合。

替代型号

HCPL-0631, TLP281-4, PS2801-4

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SIA406DJ-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.8 毫欧 @ 10.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1380pF @ 6V
  • 功率 - 最大19W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SC-70-6
  • 供应商设备封装PowerPAK? SC-70-6 单
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SIA406DJ-T1-GE3TR