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SIA110DJ-T1-GE3 发布时间 时间:2025/8/2 6:06:43 查看 阅读:37

SIA110DJ-T1-GE3 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件设计用于通用开关和放大应用,具有良好的性能特性和可靠性,适用于各种电子电路设计。SIA110DJ-T1-GE3 采用 SOT-23 封装形式,便于表面贴装,适合在空间受限的 PCB 设计中使用。该晶体管具有较高的电流增益(hFE)和较低的饱和电压(Vce_sat),能够在较高的频率下工作,适用于模拟和数字电路中的多种应用场景。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(Vce):100V
  集电极电流(Ic):100mA
  功耗(Pd):300mW
  过渡频率(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110(最小值)
  封装类型:SOT-23
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

SIA110DJ-T1-GE3 具有一系列显著的特性,使其在多种电子应用中表现出色。首先,该晶体管的高电流增益(hFE)确保了在放大电路中能够提供良好的信号增益,适用于音频放大器和其他模拟信号处理电路。其次,SIA110DJ-T1-GE3 的过渡频率(fT)高达 100MHz,使其能够在较高频率下稳定工作,适合用于射频(RF)和高速开关应用。
  此外,该晶体管的低饱和电压(Vce_sat)有助于降低功耗并提高效率,特别适合用于开关电路和电源管理应用。SIA110DJ-T1-GE3 的 SOT-23 封装形式不仅节省空间,还提高了 PCB 布局的灵活性,适合高密度电路设计。该器件的可靠性高,能够在较宽的温度范围内稳定工作,从 -55°C 到 150°C,适合工业级和汽车电子应用。
  最后,SIA110DJ-T1-GE3 的设计使其在多种环境中都能保持良好的性能,无论是用于消费类电子产品、工业控制系统还是汽车电子模块,都能提供稳定可靠的工作表现。

应用

SIA110DJ-T1-GE3 的应用范围广泛,涵盖了多个电子领域。在通用放大电路中,该晶体管可用于音频放大器、信号调理电路和传感器接口电路,提供高增益和低噪声性能。在开关电路中,SIA110DJ-T1-GE3 可用于控制继电器、LED 显示器和其他负载设备,特别适合需要高频开关的应用。
  在电源管理电路中,该晶体管可用于稳压器、DC-DC 转换器和电池充电电路,帮助提高系统效率并降低功耗。SIA110DJ-T1-GE3 还适用于射频(RF)电路,如无线通信模块中的放大器和混频器,提供良好的高频性能。
  此外,该晶体管在汽车电子系统中也有广泛应用,如车载娱乐系统、车身控制模块和发动机控制单元(ECU)。在工业控制系统中,SIA110DJ-T1-GE3 可用于自动化设备、传感器接口和电机控制电路,提供可靠的工作性能。

替代型号

BC547, 2N3904, PN2222

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SIA110DJ-T1-GE3参数

  • 现有数量21现货
  • 价格1 : ¥7.39000剪切带(CT)3,000 : ¥3.07701卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.4A(Ta),12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)55 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)550 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.5W(Ta),19W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SC-70-6
  • 封装/外壳PowerPAK? SC-70-6