时间：2025/6/4 1:26:36
阅读：5
SI9956DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和高效率，适用于高频开关应用。其封装形式为 PowerPAK SO-8，适合表面贴装工艺。
这款 MOSFET 广泛用于 DC/DC 转换器、负载开关、同步整流、电机驱动以及便携式电子设备中的功率管理电路。
型号：SI9956DY-T1-GE3
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：2.5mΩ
Id（连续漏电流）：47A
Vgs(th)（栅极开启电压）：1.3V 至 2.5V
Qg（栅极电荷）：15nC
fsw（最大开关频率）：2MHz
封装：PowerPAK SO-8
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI9956DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高效率设计使其非常适合高频开关应用，如同步整流和 DC/DC 转换器。
3. TrenchFET 第三代技术提高了功率密度并降低了总功耗。
4. 小巧的 PowerPAK SO-8 封装节省了 PCB 空间，并提供了良好的热性能。
5. 支持宽范围的工作温度，适应多种工业及消费类环境。
该 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 笔记本电脑和台式机中的 DC/DC 转换器。
2. 各种类型的负载开关。
3. 同步整流电路。
4. 电机驱动控制。
5. 消费类电子产品中的电池管理模块。
6. 工业自动化设备中的电源管理单元。
SIH995DH, SI4482DY
