时间：2025/6/17 0:07:34
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SI9948BEY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen III 技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于高频、高效能的开关应用场合。其封装形式为 ThinSOT252（SC-75），适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.6A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：11nC
总电容：115pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI9948BEY-T1-GE3 器件基于先进的 TrenchFET 第三代技术，具备卓越的性能表现。
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ，典型值），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高效的开关性能，得益于较小的栅极电荷（11nC）以及优化的动态参数。
3. 优秀的热稳定性，在高达 +175℃ 的结温下仍能保持可靠的运行。
4. 超薄封装设计（ThinSOT252），不仅节省空间，还提供出色的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的严格要求。
这款 MOSFET 广泛用于多种电力电子电路中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理模块、电机驱动器以及 LED 照明等。由于其高效率和紧凑的封装，特别适合对尺寸敏感和功耗要求严格的便携式电子产品设计。
此外，SI9948BEY-T1-GE3 还被推荐用于多相电源转换器中的同步整流应用，以减少功率损耗并提升整体系统的效能。
SI9947DY, SIH62N06E, FDMT6605
