时间：2025/4/29 19:17:09
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SI9945BDY-T1是Vishay公司推出的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用TrenchFET Gen IV技术制造，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于高频、高效率的电源转换和电机驱动应用。它采用TO-263-3 (D2PAK)封装形式，适合表面贴装工艺。该器件的最大漏源电压为40V，持续漏极电流可达58A（在特定条件下），并具备出色的热性能。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：0.75mΩ @ Vgs=10V
漏极电流（连续）：58A
总功耗：165W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263-3 (D2PAK)
SI9945BDY-T1采用了先进的TrenchFET技术，能够提供极低的导通电阻，从而减少传导损耗，提高系统效率。
该器件具有快速开关速度，可降低开关损耗，非常适合高频开关应用。
其坚固的设计确保了在极端条件下的可靠性，例如高温或大电流环境。
由于采用了D2PAK封装，器件具备良好的散热性能，同时支持自动化表面贴装生产工艺，提升了装配效率。
此外，该产品符合RoHS标准，绿色环保。
SI9945BDY-T1广泛应用于需要高效功率管理的领域，包括但不限于：
服务器及通信设备中的DC/DC转换器
笔记本电脑适配器和充电器
电动工具和家用电器的电机驱动电路
汽车电子中的负载切换和电池管理
工业控制和逆变器系统中的功率调节模块
SI9945ADY-T1
IRF3205
STP55NF06L
