时间：2025/5/7 14:51:41
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SI9945AEY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
该器件的封装形式为 Hot FET? 6x5 DPAK (TO-263-3)，具有出色的热性能，能够在紧凑的空间内实现高效的功率转换。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：37A
导通电阻（典型值）：2.2mΩ
栅极电荷：32nC
输入电容：1830pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI9945AEY-T1-E3 使用先进的 TrenchFET? 工艺制造，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高开关速度，适合高频应用场景。
3. 小尺寸封装设计，节省 PCB 空间。
4. 支持高电流能力，能够承受高达 37A 的连续漏极电流。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
该 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的高效功率转换组件。
SIH994DP, IRF7724, AO3400A
