时间：2025/6/14 17:41:25
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SI9939DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有超低导通电阻和优化的开关性能，适用于高频、高效能的电源转换应用。
该芯片封装形式为 ThinPAK 8x8 封装，其紧凑的设计有助于减少 PCB 占用空间并提升散热性能。由于其出色的电气特性和坚固耐用的结构设计，它被广泛用于计算机、消费电子、通信设备以及工业自动化领域。
最大漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：45A
导通电阻（Rds(on)）：0.75mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：33nC
输入电容（Ciss）：2050pF
反向恢复时间（trr）：18ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
这款功率 MOSFET 的主要特点是采用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，这使其具备以下优势：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 出色的开关性能，适合高频应用场合。
3. 高电流处理能力，支持高达 45A 的连续漏极电流。
4. 耐热增强型封装设计，有助于改善散热表现。
5. 工作温度范围宽广，能够适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料使用。
这些特点使得 SI9939DY-T1-E3 成为高性能 DC/DC 转换器、同步整流电路以及负载切换的理想选择。
SI9939DY-T1-E3 广泛应用于多种需要高效能功率管理的场景中，具体包括但不限于：
1. 服务器和台式电脑中的电压调节模块 (VRM)。
2. 笔记本电脑及平板电脑的适配器和充电器。
3. 电信设备中的分布式电源架构。
4. 工业电机驱动与控制电路。
5. 开关模式电源 (SMPS) 和逆变器。
6. 各类负载切换和保护电路。
凭借其卓越的性能和可靠性，该器件在现代电力电子设计中占据重要地位。
SI9938DY, SI9940DY
