SI9933ADY-T1-GE3 时间：2025/5/7 12:16:34 阅读：9

SI9933ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，能够提供低导通电阻和高效率的开关性能，广泛应用于各种功率转换电路和负载切换应用中。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 Hot FET? PowerPAK? SO-8 封装，具有出色的散热性能和紧凑的设计，适合空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：47A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ
　　栅极电荷（Qg）：56nC
　　输入电容（Ciss）：2900pF
　　输出电容（Coss）：180pF
　　反向传输电容（Crss）：72pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

SI9933ADY-T1-GE3 提供了超低的导通电阻，仅为 2.2mΩ，从而显著降低了传导损耗，提高了系统效率。
　　该器件具备快速开关能力，其栅极电荷较低，仅为 56nC，有助于减少开关损耗。
　　采用 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术制造，保证了更高的可靠性和更好的热性能。
　　由于采用了 PowerPAK SO-8 封装，该器件具备良好的电气隔离特性和低寄生电感，适合高频开关应用。
　　此外，它还支持高达 175℃ 的结温操作，非常适合高温环境下的应用。

应用

SI9933ADY-T1-GE3 广泛应用于 DC/DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及电池保护电路等场景。
　　在电源管理领域，它可以用于同步整流电路和降压或升压转换器中。
　　对于消费类电子设备，如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等，该器件也因其高效能而成为理想选择。
　　此外，在工业自动化和汽车电子领域，例如电动车窗控制器、LED 驱动器等，也有广泛应用。