时间：2025/6/16 22:21:04
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SI9928DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
型号：SI9928DY-T1-E3
品牌：Vishay
类型：N沟道功率MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.7mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
ID（连续漏极电流）：45A
Qg（总栅极电荷）：27nC
fT（转换频率）：1.5MHz
封装：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI9928DY-T1-E3 的主要特点是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高效率。同时，其快速的开关性能和较低的栅极电荷使其非常适合高频应用。
此外，该器件具备出色的热稳定性和耐用性，能够在较高的结温范围内可靠运行。它的高电流承载能力使其能够支持大功率系统设计，同时 DPAK 封装也便于散热处理。
该器件还具有反向恢复电荷低的特点，进一步优化了其在高频条件下的表现。这些特点共同使得 SI9928DY-T1-E3 成为许多高性能功率转换和电机控制应用的理想选择。
SI9928DY-T1-E3 广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统 (BMS)
- 电机驱动和控制
- 工业自动化设备
- 通信电源
- 笔记本电脑适配器
- LED 照明驱动
由于其高效能和可靠性，这款 MOSFET 特别适合需要高效率和小尺寸解决方案的应用场景。
SI9927DY, IRF7832, FDP5500NL
