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SI9926A 发布时间 时间:2025/7/1 19:56:47 查看 阅读:8

SI9926A 是一款由 Vishay 提供的 N 沣道?渠道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型表面贴装封装,适用于需要高效开关和低导通电阻的应用。其主要特点是具有较低的导通电阻以及高电流处理能力,广泛用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。
  该 MOSFET 采用了先进的硅工艺制造,能够提供出色的性能,同时保持较高的可靠性和耐用性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:18A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷:18nC
  功耗:72W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

SI9926A 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  3. 小型化设计,适合空间受限的应用场景。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业规范。
  5. 快速开关性能,可显著降低开关损耗。
  6. 良好的热稳定性,确保高温环境下仍能正常工作。

应用

SI9926A 的典型应用包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC/DC 转换器的功率级开关。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  7. 计算机和通信设备中的电源管理单元。

替代型号

SI9927DP, IRFZ44N, FDN337N

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