时间：2025/5/13 11:25:51
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SI9410ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，适用于需要高效能开关的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合高效率、高频应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：7nC（典型值）
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI9410ADY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，可有效降低开关损耗。
3. 增强的热性能设计，确保在高温环境下稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅封装。
5. 提供出色的耐用性和可靠性，适用于恶劣环境下的应用。
6. 小型化封装（TO-252），有助于节省电路板空间。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 各种负载开关和保护电路。
3. 便携式电子设备中的电池管理。
4. 电机控制和驱动电路。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
SI9402DY, SI9420ADY, IRF7403
