时间：2025/5/23 1:31:07
阅读：1
SI9407BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用领域。
通过先进的制造工艺，SI9407BDY-T1-GE3 实现了极低的导通损耗，并且其封装形式为节省空间的 TSOP6（SC-70），非常适合对尺寸敏感的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：1.5nC
总电容（Ciss）：120pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TSOP6
1. 极低的导通电阻，能够显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度，适合高频应用场合。
3. 小型化封装设计，有助于减少 PCB 空间占用。
4. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 优异的热性能表现，可支持较高的功率密度。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. LED 驱动电路中的功率级控制。
5. 电机驱动及电子保护电路中的功率开关组件。
SI9406DP-T1-GE3, SI9412DY-T1-GE3
