时间：2025/6/14 16:03:56
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SI9400DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，非常适合于要求高性能、低损耗的应用场景。其封装形式为 TSOP6（贴片式），有助于提高电路板空间利用率并支持表面贴装工艺。
这款 MOSFET 的工作电压范围宽广，能够承受较高的漏源电压，同时具备快速开关能力和较低的栅极电荷，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：1450pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI9400DY-T1-GE3 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频条件下减少传导损耗。
2. 高效率开关性能，得益于其优化的栅极电荷设计。
3. 支持高达 27A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性。
5. 采用先进的 TrenchFET 第三代技术，提供更优的热特性和电气性能。
6. 小巧的 TSOP6 封装，便于 PCB 布局和自动化生产。
SI9400DY-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 便携式电子设备中的 DC-DC 转换器。
2. 笔记本电脑及平板电脑的电源管理系统。
3. 开关模式电源 (SMPS) 和多相电压调节模块 (VRM)。
4. 各类电机驱动和控制电路。
5. 电池保护电路与负载开关。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
SI9403DY, SI9402DY, IRF7779TRPBF
