时间：2025/6/16 20:45:31
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SI9183DT-30-T1-E3 是一款来自 Vishay 的 N 沣道沟道功率 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件以其低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度而著称，广泛应用于需要高效能和低功耗的电路中。
这款功率 MOSFET 主要用于直流-直流转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中的功率管理应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：27A
导通电阻（RDS(on)）：2.5mΩ
栅极电荷：46nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PowerPAK? 8x8
SI9183DT-30-T1-E3 提供了非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
其小型 PowerPAK? 8x8 封装设计使其适合于空间受限的应用场景。
该器件还具有快速开关能力，能够有效降低开关损耗。
它支持较宽的工作温度范围，确保在各种环境下稳定运行。
此外，TrenchFET? 第三代技术的应用进一步优化了其性能表现。
该 MOSFET 常见于 DC/DC 转换器的设计中，以实现高效的电压调节。
它也适用于负载开关，可提供快速响应和低损耗的切换操作。
在电机驱动应用中，SI9183DT-30-T1-E3 可以精确控制电机的速度与方向。
同时，它也是电池供电设备的理想选择，因其低导通电阻可显著延长电池寿命。
其他应用场景包括电信设备、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率管理模块。
SI9184DY, SI9183ADT, IRF7846TRPBF
