型号：Si8921AD-IS4
　　类型：隔离式数字输出驱动器
　　通道数：单通道
　　隔离耐压：5 kVRMS
　　工作电压输入侧：3.3 V / 5 V
　　工作电压输出侧：9 V 至 30 V
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100 kV/μs
　　传播延迟：典型值 100 ns
　　延迟匹配：±10 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-8 宽体
　　安全认证：UL, CSA, VDE
　　最大数据速率：1 Mbps
　　输出电流能力：最高 2.5 A 峰值
　　上升/下降时间：<50 ns

Si8921AD-IS4的核心特性之一是其基于Silicon Labs专有的电容隔离技术，该技术利用高频调制和差分电容耦合来实现信号跨越隔离栅的高速、低失真传输。相比传统光耦合器，这种结构避免了LED老化问题，提供了更长的使用寿命和更高的温度稳定性。其高共模瞬态抗扰度（CMTI）确保即使在存在剧烈电压波动的电力电子环境中，也能保持信号完整性，防止误触发导致的短路风险。此外，器件内部集成了多项保护功能，包括欠压锁定（UVLO）、过温保护以及开路检测等，能够在异常情况下自动关闭输出，保护后级功率器件。
　　另一个关键优势是其出色的动态性能。Si8921AD-IS4具有非常低且一致的传播延迟，这对于需要精确时序控制的多相逆变器或PFC电路至关重要。延迟匹配精度高，使得上下桥臂驱动更加对称，减少死区时间需求，从而降低开关损耗并改善电磁兼容性（EMC）表现。输出级设计支持高峰值电流驱动能力，可达2.5 A，足以快速充放电大栅极电荷的功率MOSFET或IGBT，实现高效开关操作。
　　该器件还具备良好的系统集成能力。输入逻辑兼容3.3 V和5 V TTL/CMOS电平，无需额外电平转换即可连接微控制器或DSP。输出侧宽电压范围允许灵活适配不同的栅极驱动电源配置。SOIC-8宽体封装满足爬电距离和电气间隙的安全要求，简化了PCB绝缘设计。整体功耗较低，有助于减小散热压力，尤其适用于紧凑型工业模块。最后，Si8921AD-IS4通过了多项国际安全认证，包括UL1577、IEC 60747-17等，确保在医疗、工业和能源领域中的合规性和市场准入能力。

Si8921AD-IS4广泛应用于各类需要电气隔离驱动的工业与电力电子系统中。典型用途包括交流伺服驱动器、变频器、三相逆变器、太阳能光伏逆变器、电动汽车充电模块以及工业机器人控制系统。在这些应用中，主控单元通常运行于低压数字域，而功率级部分则处于高电压、大电流环境下，因此必须通过隔离器件进行信号传递以保障系统安全与稳定性。
　　在电机控制领域，Si8921AD-IS4常被用作半桥或全桥拓扑中高端与低端开关管的栅极驱动器。其高CMTI能力和快速响应特性使其能够在高dV/dt条件下准确传递PWM信号，避免因共模干扰引起的误导通现象。在可再生能源系统如光伏逆变器中，该芯片可用于驱动DC-DC升压级或DC-AC逆变级的功率开关，配合控制器实现最大功率点跟踪（MPPT）和并网同步控制。
　　此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）和开关电源（SMPS）中的隔离反馈与驱动环节。由于其支持高达1 Mbps的数据速率，能够满足现代高频开关电源对快速闭环响应的需求。在工业自动化设备如PLC数字输出模块中，Si8921AD-IS4可用于将微处理器发出的控制指令安全地传送到现场执行机构，例如接触器、电磁阀或继电器驱动电路，实现强弱电之间的有效隔离。
　　得益于其高可靠性与宽温工作能力，该芯片也可部署于户外或高温工业环境中，如风力发电变流器、储能系统电池管理单元（BMS）中的隔离通信接口等场景。总之，任何需要将低压逻辑信号安全、高效地传输到高压侧并驱动功率器件的应用，都是Si8921AD-IS4的理想选择。

Si8233BD-ISO1
　　ADuM120N0BRZ
　　ISO6721DWR