产品型号：SI88620BC-ISR
　　制造商：Silicon Labs
　　通道数：6
　　通道方向配置：3/3（3个正向，3个反向）
　　隔离耐压：5000 VRMS（1分钟，符合UL 1577）
　　工作电压：VDD1/VDD2 = 2.7V 至 5.5V
　　数据速率：最高可达150 Mbps
　　传播延迟：典型值30ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs（最小值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-28（宽体）
　　安全认证：UL 1577、IEC 60747-5-2、VDE 0884-10（增强型隔离）
　　爬电距离：8.5 mm
　　电气间隙：8.0 mm
　　功耗：每通道典型值低于1.5 mW @ 5V, 100 kbps
　　瞬态过压额定值：1200 VPK
　　局部放电电压：> 1 kV RMS

SI88620BC-ISR的核心特性之一是其基于硅基电容隔离技术的高可靠性隔离机制。该技术利用高频调制信号穿过微小的二氧化硅（SiO2）绝缘层进行数据传输，相比传统的光耦合器，具有更长的寿命、更高的速度和更好的温度稳定性。这种隔离架构避免了LED老化问题，同时提供了极佳的抗外部电磁干扰能力。器件内部集成了片上振荡器和编码/解码电路，采用差分信号传输方式以增强抗噪性能，并支持精确的时序控制，确保高速通信下的低抖动和低误码率。
　　该芯片支持高达150 Mbps的数据速率，使其适用于高速通信接口如SPI、UART、I2C以及数字输入/输出模块。每个通道都具备独立的电源域（VDD1和VDD2），允许不同电压域之间的电平转换，便于与低电压MCU或FPGA连接。其高共模瞬态抗扰度（CMTI）指标（最小±100 kV/μs）保证了在电机驱动、逆变器和开关电源等存在剧烈电压变化的应用中仍能保持信号完整性。
　　SI88620BC-ISR还具备出色的热稳定性和长期可靠性，在整个工业级温度范围内（-40°C至+125°C）都能维持一致的性能表现。其增强型隔离等级符合IEC 61010-1和VDE 0884-10标准，支持长达25年的隔离寿命，在高海拔和高污染环境下依然安全可靠。此外，该器件内置故障保护机制，包括开路检测、短路保护和热关断功能，进一步提升了系统的鲁棒性。
　　封装方面，SI88620BC-ISR采用SOIC-28宽体封装，提供足够的爬电距离和电气间隙，满足全球主流安全法规对加强绝缘的要求。该封装兼容自动装配流程，有助于提高生产效率并降低制造成本。由于无需外部偏置元件或启动电路，设计简化程度高，显著缩短了开发周期。

SI88620BC-ISR广泛应用于需要高可靠性和高抗干扰能力的工业控制系统中。典型应用场景包括工业自动化设备中的PLC模块、远程I/O单元和现场总线接口，用于隔离数字输入信号或控制输出信号，防止地环路干扰和高压窜入损坏主控单元。在电机驱动和伺服控制系统中，该器件可用于隔离PWM控制信号和反馈信号（如编码器或霍尔传感器信号），确保控制器与功率级之间的电气隔离，提升系统安全性。
　　在开关电源和DC-DC转换器中，SI88620BC-ISR常被用来实现反馈环路的隔离，替代传统光耦，提供更快的响应速度和更高的精度。它也适用于光伏逆变器、UPS不间断电源和电动汽车充电系统中的数字通信隔离，保障高压侧与低压侧之间的信息传递安全。此外，在医疗电子设备中，特别是在需要符合IEC 60601安全标准的患者监护仪器或诊断设备中，该器件可用于隔离数据采集通道，防止漏电流危害患者安全。
　　在测试与测量仪器领域，SI88620BC-ISR可用于构建高精度数据采集系统，将传感器前端与数字处理部分隔离开来，减少噪声耦合，提高信噪比。其高速性能也使其适用于隔离CAN、RS-485和USB等通信总线，在工业网络通信中发挥关键作用。由于其低功耗和小尺寸优势，该器件同样适合用于空间受限但对可靠性要求极高的嵌入式系统设计中。

SI88621BC-ISR
　　SI88622BC-ISR
　　ADuM3470
　　ISO7766
　　MAX14850E