型号：SI88320EC-ISR
　　制造商：Silicon Labs
　　通道数：2
　　输出类型：独立双通道
　　峰值输出电流：6.5A
　　驱动电压范围（VDD1/VDD2）：2.7V 至 5.5V
　　逻辑输入类型：CMOS/TTL 兼容
　　传播延迟时间：最大70ns
　　上升/下降时间：典型值15ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150 kV/μs
　　隔离电压：5000 VRMS（1分钟，符合UL1577）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘材料：聚酰亚胺电容介质
　　封装类型：16-SOIC（宽体）
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17、CSA

SI88320EC-ISR的突出特性之一是其基于电容隔离技术的高集成度双通道栅极驱动架构，这种设计不仅提供了优异的信号传输精度，还显著提升了器件在高dv/dt环境下的稳定性。其内部采用差分输入结构，有效抑制电磁干扰，确保即使在强噪声环境中也能实现可靠的逻辑电平识别。每个通道都具备独立的电源和接地引脚，允许灵活配置高低边驱动拓扑，并支持半桥、全桥及多相逆变器等多种功率转换电路。该器件的高驱动电流能力（6.5A峰值）使其能够快速为功率管的栅极电容充放电，缩短开关过渡时间，从而减少动态损耗，特别适合用于高频开关场合如GaN和SiC功率器件的驱动。
　　另一个关键特性是内置的多重保护机制。SI88320EC-ISR集成了米勒钳位功能，在关断状态下主动将栅极电压拉低以防止因寄生电容耦合引起的误开通，这在高dv/dt切换条件下尤为重要。此外，它提供可编程的去饱和（DESAT）检测输入接口，可用于实时监测IGBT或MOSFET是否发生短路故障，一旦检测到异常，驱动器会立即启动软关断程序并锁定输出，防止损坏下游功率元件。欠压锁定（UVLO）电路则确保只有当供电电压稳定在安全范围内时才允许输出导通，避免因电源不稳定导致的非正常工作状态。所有这些保护功能协同工作，极大地提升了整个电力电子系统的可靠性和安全性。
　　在性能方面，SI88320EC-ISR表现出极低的传播延迟（最大70ns）和通道间匹配性，保证了多管并联或桥式电路中精确的时间同步，降低了环流风险。其高速响应能力支持高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率，适用于现代高效能电源拓扑结构。得益于先进的CMOS制造工艺，该芯片在提供强大驱动能力的同时仍保持较低的静态功耗，有利于提升整体能效。此外，器件通过了严格的国际安全认证，包括UL、CSA和IEC标准，适用于需要功能隔离的工业和医疗设备。16引脚SOIC宽体封装不仅满足足够的爬电距离和电气间隙要求，也便于自动化生产和回流焊工艺，是一款兼顾性能、安全与易用性的高端隔离驱动解决方案。

SI88320EC-ISR广泛应用于各类需要高可靠性电气隔离和高效功率开关控制的系统中。典型应用场景包括工业电机驱动器中的三相逆变器模块，其中该器件用于驱动上下桥臂的IGBT或MOSFET，确保精确的PWM控制和防止直通现象的发生。在太阳能光伏逆变器中，SI88320EC-ISR凭借其高CMTI能力和快速响应特性，能够在高压直流侧与低压控制侧之间建立安全可靠的信号传输路径，保障系统在复杂电网环境下的稳定运行。此外，该芯片也常用于电动汽车车载充电机（OBC）、直流快充桩以及电池管理系统（BMS）中的隔离驱动电路，满足新能源汽车对功能安全和长期耐用性的严苛要求。在开关模式电源（SMPS）领域，尤其是在大功率服务器电源、通信电源和不间断电源（UPS）中，SI88320EC-ISR被用来驱动LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑中的功率开关，提升转换效率并降低EMI干扰。其他应用还包括工业机器人伺服驱动器、感应加热设备、UPS系统以及任何使用高压功率器件且需进行微控制器与功率级之间隔离的场合。由于其支持SiC和GaN等宽禁带半导体器件的高速开关需求，SI88320EC-ISR正成为下一代高密度、高效率电源系统的首选隔离驱动器之一。

UCC217xx 系列
　　ADuM3223
　　ISO7742
　　MAX22701E