型号：Si88243ED-IS
　　制造商：Silicon Labs (Skyworks Solutions, Inc.)
　　通道数：4通道（3正向，1反向）
　　数据速率：最高150 Mbps
　　隔离耐压：5000 Vrms（1分钟，UL 1577）
　　工作电压：VDD = 2.7V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100 kV/μs
　　传播延迟：典型值 10 ns
　　脉冲宽度失真：<5 ns
　　最大工作绝缘电压（VIORM）：1238 V峰值（符合IEC 60950-1）
　　安全认证：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5（VDE 0884-10）、GB/T 17626.4
　　封装类型：16引脚宽体SOIC（DW）
　　爬电距离：>8 mm
　　电气寿命：>60年（在额定工作条件下）

Si88243ED-IS采用Silicon Labs先进的电容隔离技术，利用高频调制和差分电容耦合实现信号跨隔离栅的高速传输。这种技术相比传统的光耦合器具有显著优势，包括更高的数据速率、更长的使用寿命以及更好的温度稳定性。该器件内部集成了RF振荡器、调制器、解调器和输出驱动电路，所有通道均经过独立优化以确保低延迟和高可靠性。每个通道都具备独立的隔离栅，防止通道间串扰，并支持双极性信号传输，适应多种逻辑电平系统。
　　该芯片具备出色的抗电磁干扰能力，其高CMTI性能确保在电力电子设备（如逆变器、变频器）中即使在dv/dt极高的环境下也能可靠工作。此外，Si88243ED-IS内置故障检测机制，在原边电源失效或信号中断时，输出端可自动进入预定义的安全状态（如高电平或低电平），防止下游电路误动作。这种功能对于工业安全控制系统至关重要。
　　Si88243ED-IS支持宽电源电压范围（2.7V–5.5V），可与多种微控制器和逻辑电路直接接口，无需额外电平转换。其低静态电流（典型值低于1 mA每通道）有助于降低系统整体功耗，特别适合电池供电或绿色能源应用。器件的热稳定性优异，在整个工作温度范围内时序参数漂移小，确保系统长期运行的一致性。
　　制造工艺方面，Si88243ED-IS采用半导体级封装技术，结合聚酰亚胺介电材料作为隔离层，提供持久的电气隔离性能。该材料具有极高的击穿强度和湿度 resistance，增强了器件在潮湿、污染环境下的可靠性。此外，宽体SOIC封装提供了足够的爬电距离和电气间隙，满足增强型绝缘要求，适用于需要高功能安全等级的系统设计。

Si88243ED-IS广泛应用于需要高可靠性信号隔离的工业和电源系统中。常见用途包括可编程逻辑控制器（PLC）中的数字I/O模块，用于隔离现场设备与中央处理单元，防止高压窜入损坏敏感电路。在电机驱动和逆变器系统中，它常被用来隔离微控制器与栅极驱动器之间的PWM控制信号，确保功率级故障不会影响控制侧。
　　该器件也适用于隔离式ADC/DAC接口，在模拟前端与数字处理之间建立安全屏障，提升测量精度和系统安全性。在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，Si88243ED-IS可用于反馈环路隔离或状态监控信号传输，实现精确稳压和故障保护。
　　此外，Si88243ED-IS适用于工业通信接口，如RS-485、CAN和Profibus隔离节点设计，有效抑制地环路噪声，提升通信稳定性。在太阳能逆变器、电动汽车充电系统和储能系统中，该芯片用于高压侧与低压侧之间的信号隔离，保障操作人员和设备安全。
　　由于其高数据速率和低延迟特性，Si88243ED-IS也可用于高速SPI隔离，保护主控MCU免受远程传感器或执行器端电气干扰的影响。其宽温特性和长期可靠性使其成为户外设备、轨道交通和智能电网终端的理想选择。

Si88343ED-IS
　　ADuM5401
　　ISO7741
　　SI8641BB-B-IS