时间：2025/12/27 6:10:51
阅读：13
Si88222EC-IS是Silicon Labs（芯科科技）推出的一款高性能数字隔离器，专为工业自动化、电源管理和电机控制等高可靠性应用设计。该器件采用先进的CMOS工艺和电容隔离技术，能够在恶劣的电磁环境中提供稳定可靠的信号传输。Si88222EC-IS集成了两个独立的隔离通道，支持双向数据通信，并具备出色的抗噪声能力和低传播延迟特性。其内部结构通过在单芯片上集成高频调制与解调电路以及差分电容隔离层，实现了高效能的电气隔离，同时保持了较小的封装尺寸和较低的功耗。该器件符合国际安全标准，如UL、CSA、VDE和IEC/EN/DIN EN 60747-17，适用于需要加强绝缘保护的系统设计。此外，Si88222EC-IS具有高工作电压、长寿命隔离性能和优异的温度稳定性，可在-40°C至+125°C的宽温范围内可靠运行，适合部署于严苛工业环境下的嵌入式控制系统中。
型号：Si88222EC-IS
制造商：Silicon Labs
通道数：2
方向配置：双通道双向
数据速率：最高150 Mbps
隔离耐压：5000 Vrms（持续）
工作电压范围（VCC）：2.7 V 至 5.5 V
传播延迟：典型值 10 ns（最大 25 ns）
共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs
绝缘材料：二氧化硅（SiO2）
封装类型：SOIC-8宽体（8-pin Wide Body SOIC）
爬电距离：≥8 mm
电气间隙：≥8 mm
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
安全认证：UL 1577、CSA Component Acceptance Notice #5、VDE 0884-11（增强型隔离）
Si88222EC-IS具备卓越的电气隔离性能，采用基于硅基的电容隔离技术，在单片上实现高密度集成，确保长期稳定性和高可靠性。其核心优势之一是高达5000 Vrms的隔离耐压能力，满足增强型隔离要求，可用于危险电压环境中的关键信号隔离。器件的共模瞬态抗扰度（CMTI）达到±100 kV/μs，显著优于传统光耦合器，在高频开关噪声强烈的场合（如变频器、逆变器）仍能保持信号完整性，避免误触发或数据错误。两个通道均支持双向通信，灵活性高，可适配多种接口协议，包括SPI、I2C、UART等数字总线应用。
该器件的工作电压范围宽（2.7V至5.5V），兼容3.3V和5V逻辑系统，便于系统级集成。其低传播延迟（典型10ns）和高数据速率（最高150Mbps）使其适用于高速实时控制场景，例如伺服驱动、数字电源反馈环路和工业PLC模块。相比传统的光耦，Si88222EC-IS无LED老化问题，寿命更长，且不受温度漂移影响，响应速度更快。此外，其SOIC-8宽体封装符合IEC 60664-1关于加强绝缘的爬电距离和电气间隙要求，无需外部额外绝缘措施即可通过安规测试。
Si88222EC-IS还具备良好的热稳定性，在-40°C至+125°C的全温范围内参数变化小，适合高温工业环境使用。它集成了故障保护机制，当输入端开路时输出状态可预定义，提升系统安全性。整体功耗低，静态电流典型值仅为1.2mA每通道，有助于降低系统能耗。所有这些特性共同使Si88222EC-IS成为现代工业电子系统中替代传统光耦的理想选择，尤其适用于对可靠性、速度和空间效率有严格要求的应用场景。
Si88222EC-IS广泛应用于需要电气隔离的工业与电力电子系统中。常见用途包括工业自动化控制器中的数字输入/输出模块，用于隔离现场传感器与PLC逻辑单元，防止地环路干扰和高压窜入损坏主控芯片。在电机驱动器和伺服控制系统中，该器件可用于隔离PWM控制信号和反馈信号，确保控制器与功率桥之间的安全通信。在开关电源和DC-DC转换器中，常用于隔离反馈回路（如电压模式或电流模式控制），提高系统的稳定性和抗干扰能力。新能源领域如光伏逆变器和电动汽车车载充电机（OBC）也大量采用此类高性能数字隔离器，以实现高压侧与低压侧的信号传递。此外，医疗设备中对患者连接部分的信号隔离也有应用，保障操作人员和患者的电气安全。数据采集系统、隔离式ADC驱动电路以及通信接口（如RS-485、CAN总线）的隔离设计也是其典型应用场景。得益于其高集成度和小尺寸封装，Si88222EC-IS特别适合空间受限但要求高性能的紧凑型设计。
Si8622BB-ISR
ADuM120N0BRZ
ISO7721DR
